微电子理论思考.doc

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微电子理论思考

能带理论怎样解释绝缘体,导体和半导体之间的不同?各种材料的禁带宽度怎样变化? 描述半导体中载流子的扩散运动和漂移运动,它们各自的驱动力是什么?它们在PN结的建立过程中起了什么作用? 通过文献查阅,叙述可编程器件的发展过程。 比较DSP器件和普通的微处理器的异同。 在集成电路工厂中主要有哪几大工艺,从中选择两个工艺过程加以说明。 什么是MEMS技术,能否用MEMS技术制造传感器?若能,举一个实例。 请介绍氧化硅膜在集成电路工艺中的几种主要用途与几种主要氧化硅膜制备工艺。 集成电路对金属化的要求是什么? 什么叫欧姆接触,简要介绍形成欧姆接触的方法 简要介绍扩散掺杂的原理及工艺步骤 评述离子注入工艺掺杂的优点,介绍它的主要工艺步骤。 半导休的有什么样的特殊的电学性能? 本征本导体和非本征半导体的区别是什么? 从载流子漂移和扩散的角度描述PN结的形成过程。 什么是PN结的势垒电压?它是怎样形成的? 什么是寄生电容?它在集成电路中会产生什么问题? 场氧化层的用途是什么? 光刻的目的是什么?介绍光刻涉及的主要工艺步骤。 刻蚀工艺的目的是什么?解释湿法刻蚀,干法刻蚀各自的优缺点。 在集成电路工艺中,通过各种工艺手段形成的薄膜可以分成哪几类,简要论述各种薄膜的作用。 论述为什么在离子注入后要进行退火。 描述氧化硅怎样被用作做掺杂的阻挡层。 化学气相沉积过程中采用等离子体的优点有哪些? 解释下列名词:互连,接触,通孔和填充塞。 讨论电迁移是怎样影响稳定性的。 列出光刻的8个工艺步骤,并对每一步做出简要的解释。 描述曝光波长和图像分辨率的关系。 列出并阐述刻蚀多晶硅的三个步骤。 什么是ASIC?为什么ASIC在现代电子工业中的作用越来越大,进行ASIC设计的主要的方法有哪些? 在集成电路设计中,Top-Down设计与Bottom-Up设计相比,具有哪些优点

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