第四章热电器件说明讲稿.pptVIP

在交流辐射信号作用下，热电偶的灵敏度S为 (4-23) 由 (4-22)式可见，在直流辐射下，提高热电偶的响应率最有效的办法： 选用塞贝克系数M12较大的材料， 增加辐射的吸收率α， 减小内阻Ri， 减小热导G等,但τT=CQ /G变大。 由(4-23)式可见，在交流辐射信号的作用下，提高热电偶交流响应率最有效的办法： 降低工作频率， 减小时间常数τT。 但是，热电偶的响应率与时间常数是一对矛盾（尤其是在直流辐射或低频时），应用时只能兼顾。 2. 响应时间 热电偶的响应时间约为几毫秒到几十毫秒左右，比较大，在BeO衬底上制造Bi-Ag结热电偶有望得到更快的时间响应，响应时间可达到或小于10-7s。 3. 最小可探测功率Pmin（或NEP） 取决于探测器的噪声，主要有热噪声和温度噪声，电流噪声几乎被忽略。半导体热电偶的 NEP＝ 10-11W 左右。 三、热电堆探测器 为了减小热电偶的 响应时间 提高灵敏度，常把 辐射接收面分为若 干块，每块都接一 个热电偶，并把它 们串联（热容变小）。 1. 热电堆的灵敏度St 式中，n为热电堆中热电偶的对数（或PN结的个数），S为热电偶的灵敏度。 热电堆的响应时间常数为 式中, 为热电堆的热容量， 为热电堆的热阻抗。 从上二式可看出：若使高速化和提高灵敏度两者并存，就要在不改变 的情况下减小热容 。热阻抗由导热通路的长和热电堆以及膜片的剖面面积比决定。 四、使用热电偶的注意事项 （1）不许强辐射照射，Φmax几十微瓦 （2）电流100μA，一般在1μA以下，不要用万用表来检查热电偶的好坏。 （3）保存时将两端短路，并防强烈振动 （4）防止感应电流，尤其是电火花。 （5）使用的环境温度不要超过60℃ 。 第三节 热敏电阻 一、热敏电阻及其特点 凡吸收入射辐射后引起温升而使电阻改变，导致负载电阻两端电压的变化，并给出电信号的器件叫做热敏电阻。 相对于一般的金属电阻，热敏电阻具备特点： ①热敏电阻的温度系数大，灵敏度高，热敏电阻的温度系数常比一般金属电阻大10～100倍。 ②结构简单，体积小，可以测量近似几何点的温度。 ③电阻率高，热惯性小，适宜做动态测量。 ④阻值与温度的变化关系呈非线性。 ⑤不足之处是稳定性和互换性较差。 大部分半导体热敏电阻由各种氧化物按一定比例混合，经高温烧结而成。多数热敏电阻具有负的温度系数，即当温度升高时，其电阻值下降，同时灵敏度也下降。 由于这个原因，限制了它在高温情况下的使用。 二、热敏电阻的原理、结构及材料 半导体材料对光的吸收除了直接产生光生载流子的本征吸收和杂质吸收外，还有不直接产生载流子的晶格吸收和自由电子吸收等，并且不同程度地转变为热能，引起晶格振动的加剧，器件温度的上升，即器件的电阻值发生变化。 热敏电阻的特点： 由于热敏电阻的晶格吸收，对任何能量的辐射都可以使晶格振动加剧，只是吸收不同波长的辐射，晶格振动加剧的程度不同而已，因此，热敏电阻无选择性地吸收各种波长的辐射，可以说它是一种无选择性的光敏电阻。 具有正温度系数的金属材料热敏电阻： 一般金属的能带结构外层无禁带，自由电子密度很大，以致外界光作用引起的自由电子密度相对变化较半导体而言可忽略不计。相反，吸收光以后，使晶格振动加剧，妨碍了自由电子作定向运动。因此，当光作用于金属元件使其温度升高，其电阻值还略有增加，即由金属材料组成的热敏电阻具有正温度系数。 具有负温度特性的半导体材料热敏电阻： 图5-1分别为半导体和金属材料（白金）的温度特性曲线。白金的电阻温度系数为正值，大约为±0.37%左右；将金属氧化物（如铜的氧化物，锰-镍-钴的氧化物）的粉末用黏合剂黏合后，涂敷在瓷管或玻璃上烘干，即构成半导体材料的热敏电阻，其温度系数为负值，大约为-3% ~ -6%， 约为白金的10倍以上。所以热敏电阻探测器常用半导体材料制作而很少采用贵重的金属。由热敏材料制成的厚度为0.01mm左右的薄片电阻（因为在相同的入射辐射下得到较大的温升）粘合在导热能力高的绝缘衬底上，电阻体两端蒸发金属电极以便与外电路连接，再把衬底同一个热容很大、导热性能良好的金属相连构成热敏电阻。红外辐射通过探测窗口投射到热敏元件上，引起元件的电阻变化。 为了提高热敏元件接收辐射的能力，常将热敏元件的表面进行黑化处理。 三、 热敏电阻的参数 1. 电阻-温度特性 热敏电阻的阻温特性是指实际阻值与电阻体温度之间的依赖关系，这是它的基本特性之一。电阻温度特性曲线如图5-1所示。 热敏电阻器的实际阻值RT与其自身温