第章常用半导体器件说明.ppt

1.当uDS=0时, uGS对导电沟道的控制作用 当uGS=0时，沟道较宽。 当uGS＜0时，PN结反偏，PN结加宽，漏源间的沟道将变窄。 当uGS继续向负方向增加，沟道继续变窄， 当到某一数值时沟道消失，此时所对应的栅源电压uGS称为夹断电压UGS (off)。 一、结型场效应管（JFET)的工作原理 第一章 2.当uGS为UGS (off) ～0某一固定值时, uDS对iD的影响 当uDS=0时，虽存在导电沟道,但电压为0,多子不会移动iD=0。 当uDS＞0时，则有iD，沟道各点与栅极间电压不相等,耗尽层宽度也不同。而 iD随uDS增大而增大。当uDS增加使uGD=UGS (off)。漏极一边出现夹断区——预夹断。 当 uDS 继续增大，使uGD＜UGS (off)，夹断区加长， iD减小，另一方面uDS增大使iD增大，两种变化相抵消所以iD基本不变。 一、结型场效应管（JFET)的工作原理 第一章 3.当uGD＜UGS (off)时, uGS对iD的控制作用 当uGD＝uGS － uDS＜UGS (off)时，即uDS＞uGS －UGS (off)的情况下, uDS为常量，对应确定的uGS ，就有确定的iD。因此可以通过改变uGS来控制iD的大小。 低频跨导gm ＝△ iD ／△ uGS用来描述栅源电压对漏极电流的控制作用的参数。 一、结型场效应管（JFET)的工作原理 第一章 第一章 UGS一定时， iD与uDS的变化曲线，是一族曲线 1、输出特性曲线 二、 结型场效应管（JFET)的特性曲线 UGS=0V UGS=-4V UGS=-1V UGS=-2V UGS=-3V uDS(V) iD(mA) 第一章 （3）夹断区： uGSUGS(off) ，iD=0，uDS 0. 预夹断轨迹： uGD=UGS(off) , uDS 0, iD≥0 （4）击穿区： uDS 增加到某一值时，iD开始剧增而出现击穿。 UGS=0V UGS=-4V UGS=-1V UGS=-2V UGS=-3V uDS(V) iD(mA) （2） 恒流区（放大区）： uDSuGS-UGS(off) ，该区内UGS一定，iD基本不随uDS变化。 (1) 可变电阻区： iD将随uDS的增大而增大。 第一章 2、转移特性曲线 UDS一定时， iD与uGS的变化曲线 在恒流区 iD与uGS的关系近似为 在可变电阻区，对不同的UDS，转移特性曲线将有很大变化 uGS(V) iD(mA) UGS（off） 转移特性曲线 输出特性曲线 第一章 结型场效应管 N 沟 道 P 沟 道 第一章 - 1.4.2 绝缘栅型场效应管 第一章 MOS场效应管 N沟道增强型的MOS管 P沟道增强型的MOS管 N沟道耗尽型的MOS管 P沟道耗尽型的MOS管 第一章 一、N沟道增强型MOS场效应管结构 漏极D 源极S 栅极G 衬底B 电极—金属 绝缘层—氧化物 基体—半导体 因此称之为MOS管 1.4.2 绝缘栅型场效应管 第一章 当uGS较小时，虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。 1、工作原理 增强型MOS管 uDS iD + + - - + + - - + + + + - - - - uGS 反型层 当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的PN结，无论uDS之间是否加上电压,不会在D、S间形成电流iD,即iD≈0. 当uGSUGS(th)时, 沟道加厚，沟道电阻减少，在相同uDS的作用下，iD将进一步增加。 当uGS 增大uGS=UGS(th)时, 在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道，在uDS的作用下形成iD。 开始无导电沟道， 当在uGS?UGS(th)时才形 成沟道,这种类型的管 子称为增强型MOS管 1.2.5 稳压二极管 第一章 稳压二极管有着与普通二极管相似的伏安特性, 其正向特性为指数曲线。 稳压二极管反向击穿时，击穿区的曲线很陡，具有稳压特性。 一、稳压二极管的伏安特性 第一章 二、稳压二极管的主要参数 (1)稳定电压UZ:在规定电流下稳压管的反向击穿 电压. (2)稳定电流IZ：稳压管工作在稳压状态时的参考 电流(最小电流)。 (3