第章门电路2演示课件.pptVIP

* 3.3 CMOS 门电路 MOS管的开关特性 CMOS反向器 其它类型的CMOS门电路 CMOS门电路的正确使用 CMOS门电路的基本构成单元是MOS门电路。 MOS门电路：以MOS管作为开关元件构成的门电路。 MOS管有NMOS管和PMOS管两种。 当NMOS管和PMOS管成对出现在电路中，且二者在工作中互补，称为CMOS管（意为互补：Complementary）。 　 MOS管有增强型和耗尽型两种。 在数字电路中，多采用增强型。 MOS门电路，尤其是CMOS门电路具有制造工艺简单、集成度高、抗干扰能力强、功耗低、价格便宜等优点，得到了十分迅速的发展。 3.3.1 MOS管的开关特性 BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 MOS管是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 MOS管因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 MOS管分类 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 一. MOS管的结构和工作原理 金属-氧化物-半导体场效应管晶体管 ( Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，简称MOSFET。 分为： 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 1.N沟道增强型MOS管 （1）结构 4个电极： 漏极D，源极S， 栅极G，衬底B。 符号： - - - - N + + N P型半导体衬底 源极S 栅极G 漏极D 衬底B SiO2 ? ? - - G S D B 当uGS＞0V时→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 （2）工作原理 当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在D、S之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。 再增加uGS→纵向电场↑→将P区少子电子聚集到P区表面→形成导电沟道,如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流iD。 栅源电压uGS的控制作用 - - - P衬底 S G N + B D V DS 二氧化硅 + N - - - S 二氧化硅 P衬底 G DS V + N D + B N V GS i D 定义： 开启电压（ UT）——沟道刚开始形成时的栅源电压UGS。（一般2 ~ 3V） N沟道增强型MOS管的基本特性： uGS ＜ UT，管子截止，iD= 0； uGS ＞UT，管子导通，有iD。 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流iD 越大。 可通过改变 uGS 改变 iD 的大小，因此是电压控制元件。 - - - S 二氧化硅 P衬底 G DS V + N D + B N V GS i D 说明： 开关指的是D-S之间的开关。 开关状态由 uGS 控制，改变 uGS 控制 iD 的大小，因此是电压控制元件。 - - - S 二氧化硅 P衬底 G DS V + N D + B N V GS i D uDS D G S uGS ? ? + - + - iD 2、MOS管的开关等效电路 截止时漏源间的内阻ROFF很大，D-S可视为开路 C表示栅极的输入电容。数值约为几个皮法 这个电阻一般情况不能忽略不计。 导通时漏源间的内阻RON约在几百~1KΩ以内，且与VGS有关（ VGS ↑→RON↓ ） 开关电路的输出端不可避免地会带有一定的负载电容，所以在动态工作时，漏极电流ID和输出电压UO=UDS的变化会滞后于输入电压的变化，这一点和双极型三极管是相似的。 D G S C D G S C RON 导通时 截止时 VDS ID 0 UGSUGS(TH) VGS2 VGS2VGS1 VGS1 RON2 RON1 ROFF S D G ID UDS UGS 特性曲线越陡，表示RON越小 RON2RON1 四、MOS管的四种类型 2、P沟道增强型MOSFET - - G S D B - - - - P + + P N型半导体衬底 源极S 栅极G 漏极D 衬底B SiO2 - + - + uDS uGS 工作时使用负电源，开启电压为负值。 iD0 实际电流方向：S→D 3. N沟道耗尽型MOSFET 特点： 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，