《物联网理论与技术》第9章：半导体存储器及其应用.ppt

第9章 半导体存储器及其应用 9.1存储器概述 9.2 随机存取存储器 9.3 只读存储器 9.4 FPGA中的嵌入式存储器 9.5 存储器应用示例 实 验 实 验 实 验 图9-25 逻辑数据采样电路顶层设计 9.5.2 简易逻辑分析仪设计 1. 基本电路结构 图9-26 LPM RAM参数设置 2. 调入LPM_RAM_DQ模块 图9-27 增加时钟使能控制 2. 调入LPM_RAM_DQ模块 图9-28 允许在系统存储器内容编辑器能对此RAM编辑 2. 调入LPM_RAM_DQ模块 图9-29 键入默认参数 3. 调入计数器模块LPM_COUNTER 4. 完成最后设计 图9-30 加入默认参数 4. 完成最后设计 5. 系统功能分析 图9-31 逻辑数据采样电路时序仿真波形 6. 系统时序仿真 9-1．查表式硬件运算器设计 （1）按照9.5.1节的流程，设计一个4X4bit查表式乘法器。包括创建工程、调用LPM_ROM模块MULT4、在原理图编辑窗中绘制电路图，全程编译，对设计进行时序仿真，根据仿真波形说明此电路的功能，引脚锁定编译，编程下载于FPGA中，进行硬件测试。完成实验报告。 （2）在以上实验的基础上，增加一些电路（必要时可以复用模块MULT4），完成一个8X8bit查表式乘法器的设计。根据以上实验的要求，完成完整的实验流程。 （3）利用查表完成算法的原理，对下式进行计算（也可自行确定需要计算的公式），并通过时序分析报告了解其“运算”速度。计算精度和数据区域根据所能设定的ROM的大小自行决定。 按照以上实验的要求，完成完整的实验流程。 * * 9.1.1 存储器分类 1. 按存储介质分类 半导体存储器 磁存储器 光存储器 2. 按存取功能分类 只读存储器（ROM） 随机存取存储器（RAM） 3.按制造工艺分类 双极型存储器 MOS型存储器 4．根据数据的输入/输出方式分类 串行存储器 并行存储器 9.1.2 半导体存储器的性能指标 1．存储容量 2．存取速度 9.2.1 RAM的分类及其结构 1．RAM分类 图9-1 RAM的电路结构框图 9.2.1 RAM的分类及其结构 2．RAM的基本结构 读 写 控 制 电 路 行 地 址 译 码 器 列地址译码器 存储矩阵 行地址输入 数据 I/O A0 ┇ Ai A i+1 ┄ A n-1 列地址输入 片选 读/写控制 9.2.2 SRAM的结构 1．SRAM的基本存储单元 READ D Q CLK 三态门 DATA in/out 图9-2 静态RAM基本存储单元 SELECT 9.2.2 SRAM的结构 2．用D触发器构成SRAM结构 DCE Q DCE Q DCE Q DCE Q DCE Q DCE Q DCE Q DCE Q 2 | 4译码器 A1 A0 WE D1 D0 Q1 Q0 图9-3 4×2静态RAM结构 9.2.2 SRAM的结构 3．SRAM存储矩阵结构 数据输入/输出缓冲器和控制 数据D0 数据D1 数据D2 数据D3 行选择线0 行选择线1 行选择线n 行选择线3 ┇ ┇ ┇ ┇ ┇ 行选择线2 基本 存储单元 图9-4 基本SRAM阵列 4．SRAM常用器件 图9-5 6264芯片引脚图 图9-6 6264的内部结构框图 9.2.2 SRAM的结构 4．SRAM常用器件 表9-1 6264的工作方式 未选 × × 1 写 0 1 0 读 1 0 0 工作方式 9.2.3 DRAM存储数据原理 刷新 放大器 行选择信号 列选择信号 基本存储单元 数据输入/输出线 C T 图9-7 单管动态RAM基本存储单元电路 9.2.4 SRAM的扩展方法 1．位扩展 A0 A1 … … … A12 A0 A1 … … … A12 I/O0 I/O7 I/O0 I/O7 D0 D7 D8 D15 8k×8 8k×8 A0 A1 … A12 图9-8 RAM的位扩展法 9.2.4 SRAM的扩展方法 2. 字扩展 图9-9 RAM的字扩展 A0 A1 … … … A12 A0 A1 … … … A12 I/O0 I/O7 I/O0 I/O7 D0 … …