第二章集成电路的半导体器件教学教材.pptVIP

* 第 二 章 集成电路的半导体器件 半导体的特性 电子、 空穴的状态 半导体器件是构成各种 电子电路最基本的元件 二极管 三极管 MOS场效 应晶体管 集成电路（IC）是导体、半导体和绝缘体的有机组合体。 但半导体在IC制造中起到根本性的作用。 半导体是构成当代微电子的基础材料。 指通过一系列特定的加工工艺，将多个晶体管、 等有源器件和电阻、电容等无源器件，按一定的电路连 接集成在一块半导体单晶片或其他基底片上，作为一个 不可分割的整体执行某一特定功能的电路组件 2.1 半导体的特性 2.2 PN结和晶体管 2.3 双极型晶体管 2.4 MOS场效应晶体管 2.5 集成电路的无源器件 有源器件 （器件工作时需要电源） 导体：电阻率小于10-4Ω.cm，很容易导电，称为导体.如铜、铝、银等金属材料； 绝缘体：电阻率大于1010Ω.cm，很难导电，称为绝缘体，如塑料、橡胶、陶瓷等材料； 半导体：电阻率在10-3~109Ω.cm，导电能力介于导体和绝缘体之间，例如硅(Si)和锗(Ge)等半导体材料； 2.1 半导体的特性 2.1.1半导体材料 2.1.2半导体的晶体结构 2.1.3半导体中的电子状态 2.1.4 半导体的导电性 2.1.1半导体材料 半导体材料的 构成元素 (元素、化合物半导体） 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质 硅作为集成电路半导体材料的主要原因： 1. 硅含量丰富（占地壳27%）； 2. 硅提纯和结晶方便； 3. 硅的器件工作温度高； 4. SiO2膜的钝化和掩模作用是器件的稳定性以可靠性提高。 2.1.2半导体的晶体结构 1. 金刚石型结构 2. 闪锌矿型结构 3. 纤锌矿型结构 类型： IV族元素C（金刚石）、Si、Ge、Sn(灰锡）的晶体。 结合力：共价键力。 特征：立方对称晶胞。 1. 金刚石型结构（D） 2. ?-ZnS（闪锌矿）型结构 （Z） 类型： III-V和II-VI族形 成的化合物 GaAs。 结合力：共价键力部分离子 键力成分。 特征：立方对称晶胞。 3. ?-ZnS（纤锌矿）型结构 （W） 类型： III-V和II-VI族形 成的化合物 GaN。 结合力：共价键力部分离子 键力成分。 特征：六方对称晶胞。 一些重要半导体的晶体结构 + N个原子逐渐靠近 能带（允带）——固体中若有N个原子，每个原子内的电子有相同的分立的能级，当这N个原子逐渐靠近时，原来束缚在单原子中的电子，不能在一个能级上存在，从而只能分裂成N个非常靠近的能级，因为能量差甚小，可看成能量连续的区域，称为能带。 禁带——允带之间没有能级的带。 原子彼此接近时的能级图并说明 1.原子间距较大时，原子中的电子处于分立的能级； 2.随着原子间距变小，每个分立的能级分裂成N个彼此 相 隔小的能级，形成能带； 3.随着原子间距变小,能级分裂首先从外壳层电子开始（高能级），内壳层电子只有 原子非常接近时才发生 能级分裂； 4.内壳层电子处于低能级，电子共有化运动弱，分裂成的能级窄；外壳层电子处于高能级，共有化运动显著，能级分裂的能带很宽； 5.能带的宽度由晶体性质决定，与晶体大小（晶体包含的原子数N）无关，N越 大，能带中的能级数增加，但能带宽度不会增加，只是能级的密集程度增加； 6.能带的交叠程度与原子间距有关，原子间越小，交叠程度越大； 7. 在平衡间距处，能带没有交叠。 单电子近似理论：为了研究晶体中电子的运动状态，首先假定固体中的原子实固定不动，并按一定规律作周期性排列，然后进一步认为每个电子都是在固定的原子实周期势场及其他电子的平均势场中运动，这就把整个问题简化成单电子问题。 2 半导体中的电子与空穴 电子具有波粒二象性，运动的电子看做物质波，就是电子波 电子运动遵循电子的的波动方程——是薛定谔方程。 定态薛定谔方程的一般式： 动能 势能 电子运动的波函数 一维晶格 0 E E与k的关系 能带 简约布里渊区 允带 允带 允带 允带 禁带 0 求解薛定谔方程： V( x ) = V( x + n a ) 其中： n=0 n=1 n=2 k 的取值范围都是 （n=整数） 第一布里渊区：以原点为中心的第一能带所处的 k 值范围。 第二、第三能带所处的 k值范