8e2[工学]14章 二极管和晶体管.docVIP

课程名称:电子技术 任课教师: 第十四章二极管和晶体管 计划学时:5学时 教学目的和要求: 一、理解PN结的单向导电性，晶体管的电流分配和电流放大作用； 二、了解二极管、稳压管和晶体管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； 三、会分析含有二极管的电路。 四、了解一些特殊二极管。 重点: 二极管及晶体管的工作原理。 难点: 晶体管的输出特性及非线性失真的产生。 思考题: 14.3.2、14.3.5、14.4.1、14.4.2、14.5.1、14.5.3、14.5.4 河南科技大学教案首页 第十四章二极管和晶体管 二极管和晶体管是最重要的半导体器件，它们的基本结构、工作原理、特性和参数是学习电子技术和分析电子电路的基础，而PN结又是构成各种半导体器件的基础。 §14.1半导体的导电特性 1、什么是半导体？ 导电特性介于导体和绝缘体之间的物质称半导体。如硅、锗、硒以及大多数金属氧化物和硫化物，瓷器、木材等也是。 2、半导体的导电特性：半导体的导电能力在不同条件下有很大差别。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力会显著增强(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等)。 一、本征半导体 1、完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 晶体中原子的排列方式如图所示： 硅单晶中的硅原子通过共价健结构与周围的四个硅原子结合在一起，共价键中的两个电子，称为价电子。 2、本征半导体的导电机理: 价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。这一现象称为本征激发。温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。 在晶体内部，空穴会吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流： (1)自由电子作定向运动——电子电流； (2)价电子递补空穴——空穴电流。 自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子填充空穴，成对消失，称为复合。自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差； (2) 温度愈高，载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。 所以，温度对半导体器件性能影响很大。 二、N型半导体和P型半导体 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。掺入五价元素磷：磷原子取代硅原子位置后，与周围四个硅原子形成共价键，多余一个电子，极易成为自由电子。因此，掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。 在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 掺入三价元素硼:由于硼原子取代硅原子位置后，与周围三个硅原子形成共价键，与另一个硅原子的共价键中少一个电子，成为空穴。掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。 在P型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 §14.2PN结及其单向导电性 一、PN结的形成： 利用特殊的半导体制造工艺，将P型半导体和N型半导体制做在同一块半导体晶片上，则在P型半导体与N型半导体的交界处形成的一种特殊结构，称PN结。 由于P型半导体与N型半导体中电荷浓度的不同，形成了多子的扩散运动和少子的漂移运动，即N区的自由电子向P区扩散（剩下正离子），在P区与空穴复合，而P区的空穴向N区扩散（剩下负离子），在N区与自由电子复合，这样，交界面处形成正负离子的空间电荷区，也叫耗尽层，形成由N区指向P区的电场，称内电场。 内电场的作用，又会导致少子的漂移运动。漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄，扩散的结果使空间电荷区变宽。 扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变，PN结形成。 二、PN结的单向导电性 1、PN 结加正向电压（正向偏置） 在P区接电源的正极、N区接电源的负极，称正向偏置。 在正向偏置作用下，外电场与内电场反向，内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。 为防止电流过大烧毁PN结，线路上要串限流电阻。 PN结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，称PN结处于导通状态。 2、PN结