[高考]经典模电解析.ppt

模拟电子技术基础是一门介绍电子器件、电子电路和电子技术应用的专业基础课程 其特点是将电路理论扩展到包含有源器件（晶体管、场效应管、集成运放等）的电子电路中 概念性、工程性、实践性 导 言 1.1 电子系统的基本知识 1.2 电子技术的知识体系结构 1.3 电子技术的课程体系 1.4 本课程基本内容与学习建议 1.1 电子系统的基本知识 1.1.1 电子系统的组成框图 1.1.2 电子系统描述 1.1.3 基本单元电路功能描述 1.1.2 电子系统描述 由若干相互联结，相互作用的基本电路组成的，具有特定功能的电路整体，称为电子系统。 1.1.3 基本单元电路功能描述 输入电路：非电子物理系统与电子系统的接口 小信号放大电路：放大信号到所要求的电平 滤波电路：对信号的时域或频域特性加以改变 数字与模拟接口电路：包括模数转换和数模转换 数字逻辑电路：数字信号的处理电路 功率放大电路：放大信号到所要求的功率 信号产生电路：产生必要的波形 电源电路：提供电子系统的能源供应 1.2 电子技术的知识体系结构 1.2.1 电子系统的根本作用 1.2.2 信号及其表示 1.2.3 电子技术分类 1.2.4 电子技术发展简况 1.2.1 电子系统的根本作用 电子系统的根本作用是完成对信号的各种处理与变换 1.2.2 信号及其表示 信号：信息的载体 因此： 1. 信号：是反映消息的物理量 2. 信号源的电路表达形式 3. 电信号的时域与频域表示 B. 周期信号 C. 非周期信号 1.2.3 电子技术分类 模拟电路与数字电路 1.2.3 电子技术分类 小信号电路与大信号电路 低频电路与高频电路 集中参数电路与分布参数电路 1.2.4 电子技术发展简况 材料与器件 理论与分析方法 设计思想与实现方法 应用领域 关注：电子技术的发展 很大程度上反映在元器件的发展上 : 1947年 贝尔实验室制成第一只晶体管 1958年 集成电路 1969年 大规模集成电路 1975年 超大规模集成电路 1.3 电子技术的课程体系 理论基础： 电路理论 同步课程：数字电子技术（数字电路与逻辑设计） 后续课程： 微机原理（计算机类课程）、高频电路 （电子类课程）等 “模拟电子技术基础”课程的特点 如何学习这门课程 课程的目的 1. 掌握基本概念、基本电路、基本分析方法和基本实验技能。 2. 具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力，以及将所学知识用于本专业的能力。 3、半导体二极管图片 一、基本结构 继续 一、基本结构 3、半导体二极管图片 继续 一、基本结构 3、半导体二极管图片 继续 二、伏安特性 U I 死区电压 硅管0.4V,锗管0.1V。 反向击穿电压UBR 加到二极管两端的电压与流过二极管的电流的关系曲线──二极管的伏安特性曲线 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 继续 二、伏安特性 U I 特征 1、 二极管的伏安特性曲线都是从坐标原点开始的。 2、正向偏置电压需要达到一定的数值电流才开始显著上升，这个电压称为门限电压或接通电压UON 。 UON≈ 0.4v 硅管 0.1v 锗管 锗管的UON是硅管的约三~四分之一，这是硅管与锗管的明显区别之一。 继续 二、伏安特性 特征 3、 二极管正常工作时，其正向压降为： 0.6～0.8V 硅管（一般：0.7V） 0.1～0.3V 锗管 4、电流与电压的关系是非线性的 5、加反向电压时，最初随着反向电压的增加电流增加。到一定值以后反向电流几乎不随电压的增加而增加。这时的电流──反向饱和电流（IS）。它主要与环境温度有关（T↑→IS↑）。 U I IS 继续 二、伏安特性 特征 6、反向电压继续增加到一定值以后，反向电流开始剧烈增加。这时二管被击穿。 雪崩击穿──通常发生在耗尽层的宽度较大的情况下。 齐纳击穿──通常发生在耗尽层的宽度很小的情况下。(了解) U I － － － + + + P N － － － + + + 继续 二、伏安特性 特征 7、温度对二极管特性的影响 二极管的特性对温度很敏感 T↑→正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。 U正=-2~2.5mV/℃ IR=1倍/10℃ U I 继续 第一章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 半导体三极管（晶体管） 1.4 场效应管 继续 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物