2P4M制程设计规则.ppt

TSMC35 2P4M製程設計規則 電晶體的CROSS SECTION 材質與色層 電晶體與導線 紅線穿過綠色會形成電晶體 綠色要圍以NIMP或PIMP以標明N/P 反相器 使用TSMC 0.35um製程所畫的反相器layout及其色層表 另一個反相器 NWELL DIFF POLY1 METAL1 NIMP PIMP CONT Nwell 最小井寬1.4，井距1.0 不同電位之井距3.0 不太需要記 Diff 最小寬度0.4，最小距離0.6 距離NIMP 0.25，距離井邊 1.2 Poly1 最小寬度 0.35 最小距離 0.45 超過Diff 0.4 超過CONT 0.2 距離CONT 0.2 電晶體離CONT 0.3 電晶體離P++ 0.45 N/PIMP 最小間距 0.6 超過DIFF 0.25 離電晶體超過 0.45 超過CONT 0.25 CONT 一定是0.4x0.4的方塊 距離 0.4 離電晶體 0.3 Poly1超過 0.2 DIFF 超過 0.15 Metal1超過 0.15 設計規則 網頁上有比較大的圖 今天的作業 ROW 簡化設計過程 不用擔心N型井和基底的接觸 不用畫N/PIMP Rule 英文教學？ 看到錯誤訊息的時候要了解 INV2 二個反相器串接 錯誤的設計 INV2a 比前一個設計好 N型井應該要畫在一起，把PMOS集中 INV2b 更聰明的設計 共享Vdd 用DIFF當連線 Cellrow 畫Standard Cell用 紅格線是繞線軌道，用來作信號接點的參考 製程順序 正式的製造程序 用到19個光罩圖形 23個光罩製程 Butting N型井接觸點可以緊接著電晶體的源極 這種layout方法稱為Butting Butting的好處 Butting2 N++要離閘極0.45 Butting3 N++要離pdiff 0.35 N++可以離Nwell很近 但N++不能和P++對面 Butting4 可以直接畫在電晶體裡面 離閘極還是要0.45 THE END * * 導線材質： 綠色DIFF，電阻最大，短距連線用 棕紅POLY1 ，可當導線，電阻大，中距連線用 藍色METAL1，電阻小，長距拉線用 *