大学课件微电子技术课件第三章revised.pptVIP

主要内容 微电子技术及应用与发展简介 微电子技术发展的规律和趋势 半导体及微电子用半导体材料 半导体物理和器件物理基础 大规模集成电路基础 集成电路制造工艺 几类重要的特种微电子器件 微机电系统 半导体及微电子用半导体材料 半导体及微电子用半导体材料 什么是半导体及半导体材料 半导体的分类 常见的半导体材料及其用途 半导体照明工程 硅太阳能电池 半导体材料的提纯与单晶生长 半导体定义 半导体是导电性能介于导体和绝缘体之间的物体。在一定条件下可导电。 半导体的电阻率为10-3～109 ??cm。 半导体定义 能带结构--基本概念 当大量原子结合成晶体时（如，1019个原子大约可形成1mm3的晶体） 由于相邻原子电子云相互交叠，对应于孤立原子中的每一能级都将分裂成有一定能量宽度的能带。 (2) 带隙 Band Gap 能带之间的区域 (5) 空带 Empty Gap 价带上面的能带 半导体定义 半导体定义 半导体定义 半导体定义 半导体定义 半导体定义 半导体定义 半导体定义 半导体定义 半导体及微电子用半导体材料 什么是半导体及半导体材料 半导体的分类 常见的半导体材料及其用途 半导体照明工程 硅太阳能电池 半导体材料的提纯与单晶生长 半导体分类 半导体分类 半导体的导电机理 半导体价带中的电子受激发后从满价带跃到空导带中，跃迁电子可在导带中自由运动，传导电子的负电荷。同时，在满价带中留下空穴，空穴带正电荷，在价带中空穴可按电子运动相反的方向运动而传导正电荷。因此，半导体的导电来源于电子和空穴的运动，电子和空穴都是半导体中导电的载流子。 半导体分类 常见半导体材料 常见半导体材料 构成半导体材料主要元素及其在周期表中的位置 无定形半导体材料. 用作半导体的玻璃是一种非晶体无定形半导体材料,分为氧化物玻璃和非氧化物玻璃两种.这类材料具有良好的开关和记忆特性和很强的抗辐射能力,主要用来制造阈值开关,记忆开关和固体显示器件 半导体材料的应用 1、半导体材料在集成电路上的应用：最早用锗单晶制造二极管和三极管；现在发展硅器件，以硅单晶为基材的集成电路在电子器件中占主导地位。化合物半导体砷化镓做微波、超高频晶体管等； 2、半导体在光电子器件、微波器件和电声耦合器上的应用：发光管、激光器、光电池、光集成等； 3、半导体材料在传感器上的应用：半导体传感器 半导体及微电子用半导体材料 半导体照明工程 照明领域的又一次革命 一、人类照明的历史 灯—延续历史几千年 二、电光源的历史 1879年爱迪生发明白炽灯 荧光灯将电光源带入新天地 三、半导体发光二极管 什么是发光二极管（LED）？ 发光二极管是由数层很薄的搀杂半导体材料制成，一层带过量的电子，另一层因缺乏电子而形成带正电的“空穴”，当有电流通过时，电子和空穴相互结合并释放出能量，从而辐射出光芒。 LED的发展历史 1965年世界上的第一只商用化LED诞生，用锗制成，单价45美元，为红光LED，发光效率0.1 lm/w 1968年利用半导体搀杂工艺使GaAsP材料的LED的发光效率达到1 lm/w, 并且能够发出红光、橙光和黄光 1971年出现GaP材料的绿光LED，发光效率也达到1 lm/w LED的发展历史 80年代，重大技术突破，开发出AlGaAs材料的LED，发光效率达到 10 lm/w 1990年到2001年，AlInGaP的高亮度LED成熟，发光效率达到 40—50 lm/w 1990年基于SiC材料的蓝光LED出现，发光效率为0.04 lm/w 90年代中期出现以蓝宝石为衬底的GaN蓝光LED，到目前仍然为该技术 LED是未来照明的发展方向 四、第三代半导体材料 半导体材料的分代 以硅Si为代表的半导体材料为第一代半导体材料 以砷化镓GaAs为代表的化合物半导体材料为第二代半导体材料 以氮化镓GaN为代表的宽带隙化合物半导体材料为第三代半导体材料 GaN半导体材料特点 高温特性，在300℃正常工作（非常适用于航天、军事和其它高温环境） 耐酸、耐碱、耐腐蚀（可用于恶劣环境） 高压特性（耐冲击，可靠性高） 大功率（对通讯设备是非常渴望的） GaN外延片生产 通过MOCVD进行GaN单晶膜外延生长 用蓝宝石为衬底材料 用高纯氨气提供氮源 用金属有机源提供镓、铟、铝源 通过金属有机源化学气相沉积的方法 进行生长 方大集团于2001年9月在国内第一个生产出GaN基LED外延片 方大集团6X2MOCVD设备 GaN基LED芯片生产 通过几十道工序，将GaN外延片加工成为LED芯片，标准芯片的尺寸为0.3X0.3mm,一片2”外延片可以加工10000