[工学]第六章 薄膜工艺.ppt

第六章　薄 膜 工 艺 一、物理气相淀积（PVD） 二、化学气相淀积（CVD） 三、外延（Epitaxy） 在微电子工艺中会用到不同种类的薄膜，比如：电介质膜、外延膜、多晶硅膜和金属膜等。 电介质膜：可以用作绝缘材料，掩蔽材料和钝化层等； 外延膜：高质量的单晶膜，对器件进行优化。 多晶硅膜：在MOS器件中作栅电极材料； 金属膜：包括硅化物，用作低阻互连，欧姆接触，金属/半导体整流等。 薄膜工艺 物理气相淀积：薄膜淀积过程是物理过程，如蒸发、溅射等。 化学气相淀积：薄膜淀积过程是化学反应过程，如常压化学气相淀积（APCVD）、低压化学气相淀积（LPCVD）等。 外延：包括物理气相淀积和化学气相淀积，所生长的薄膜是单晶，因此具有特殊性，其制备技术包括化学气相淀积、分子束外延（MBE）等。 一、物理气相淀积工艺 物理淀积工艺主要用作金属和难熔金属硅化物薄膜的制备。它们在微电子器件中主要是作为欧姆接触、互连、栅电极等方面用的薄膜。 物理淀积主要包括：蒸发和溅射。 早期半导体工艺中的金属层全由蒸发淀积，但目前大多被溅射代替，原因有二：一是蒸发的台阶覆盖能力差；二是蒸发难以生产合金。 1、物理淀积的基本知识 真空系统：物理淀积必须在真空环境中进行，否则由于空气分子的碰撞作用，将严重妨碍物理淀积的过程。真空度则依淀积方法和淀积物的性质而异。 等离子体：等离子体产生是溅射工艺的物理基础，是等离子产生和运动的过程。 1.1 真空系统的产生和密封 真空度的常用单位有托（Torr）、大气压（atm）、毫米汞柱（mmHg）、帕斯卡（Pa）等。其关系如下： 真空范围的近似分类 真　空　泵 真空的产生要依靠真空泵。而在低真空和高真空情形下，要分别使用不同的泵。 低真空下一般使用机械泵，其抽真空过程可以分为三个步骤：捕捉气体，压缩气体，排除气体。比如：活塞泵，旋转叶片真空泵，罗茨泵等。 高真空下使用扩散泵、分子泵和低温泵。工作原理有两种：一是转移动量给气态分子而抽取气体（扩散泵和分子泵）；二是直接俘获气体分子（低温泵）。 1.2 等离子体产生 等离子体是除了固态、液态、气态之外的第四态。 它是部分离子化的气体，包括离子，电子和中性原子。特点是：导电性，宏观上的中性。 在这个系统中，等离子体靠二次电子的发射维持。等离子体主要包括：正离子、电子、中性气体分子或原子。 直流等离子体的组成 直流等离子体由各种辉区和暗区组成。暗区是离子和电子获得能量的加速区；辉区是不同粒子发生碰撞、复合、电离的区域。 直流等离子体的组成包括：阿斯顿暗区、阴极辉区、阴极暗区、负辉区、法拉第暗区、正辉柱、阳极辉区和阳极暗区等区域。 该系统中，二次电子的发射不再是维持等离子体的必要条件。 问题：射频等离子体中，等离子体和电极之间的电位分布是怎样的？ 答：由于电子的运动速度远大于离子的运动速度，因此电子会在电极上大量堆积，造成电极处于低电位，电极附近的压降与电极面积的4次方成反比。 高密度等离子体的产生 从本质上来说，是利用电场或磁场来增加电子的射程，增加电子与气体的碰撞机率，从而增加离子的数量。 磁控等离子体：利用磁场增加电子与气体原子（分子）的碰撞机率； 电感耦合等离子体：当射频电流流过线圈时会产生感应磁场，利用感应磁场增加电子与气体原子（分子）的碰撞机率； 电子回旋共振等离子体：利用交变电场和磁场的频率耦合，使电子作圆周运动，从而增加电子与气体原子（分子）的碰撞机率。 1.3 物理淀积－蒸发 定义：将固体源（如铝、钨、钛等）加热熔化，产生的蒸气在真空中直线运动抵达晶片表面，堆积成薄膜。 根据加热方式，可将蒸发系统分为：电阻热蒸发、电感热蒸发和电子束蒸发。 一个简单的蒸发台 蒸发淀积速率 影响蒸发速率的因素 温度：实际上确定了蒸气压。温度越高，蒸气压越大，淀积速率越快，但需要控制淀积速率不能太大，否则会造成薄膜表面形貌变差。 视角因子：确定了晶片淀积的均匀性，可以调整晶片的位置，使它们与坩埚在同一圆周上。 蒸发工艺的缺陷 一台蒸发台用于蒸发铝，铝材料温度加热到1100℃。蒸发器的行星转动机构半径是40cm，坩埚直径5cm，铝的淀积速率是多少？铝的密度：2.7g/cm3。 作　业 希望用一台单源蒸发台淀积Ga和Al的混合物，如果淀积温度是1000℃，坩埚内的初始混合物是1：1，两种成分黏滞系数都为1，则蒸发初期膜的组成将是怎样？膜的组成如何随时间变化？ 1.4 物理淀积－溅射 溅射的物理机制：是利用等离子体中的离子对靶材料进行轰击，靶材料原子或原子团被发射出来，堆集在晶片衬底上形成薄膜。 与蒸发工艺相比：台阶覆盖性好，容易制备合金或复合材料薄膜。 离子入射到到晶片表面时，可能产生的结果 影响溅射速率的因素 离子质量：离子质量增大，溅射速率有上升的趋势，但随原子序数呈周期性起伏。 离子能