第一章 半导体中光子-电子的相互作用;半导体物理基础;; 半导体中一般采用电子的有效质量替代电子的惯性质量,这样载流子的运动规律就可以用经典力学方程来描述,起到了简化作用,这是一种近似,称有效质量近似,用 me表示。为了方便,空穴同样用有效质量表示,用 mh表示。
有效质量m*:考虑了晶格对于电子运动的影响并对电子静止质量进行修正后得到的值。;1.1 半导体中量子跃迁的特点;半导体中三种跃迁现象:
1. 受激吸收
2. 自发发射
3. 受激发射 ;受激吸收;自发发射;受激发射;;;跃迁与跃迁选择定则:
跃迁发生在导带能量极小值与价带能量极大值之间
间接带隙半导体中电子在导带极小值与价带极大值之间的跃迁在能带图中表现为非竖直方向,称为非竖直跃迁(间接带隙跃迁)。
直接带隙半导体中电子在导带极小值与价带极大值之间的跃迁在能带图中表现为竖直方向,称为竖直跃迁(直接带隙跃迁)。
; 给定电子跃迁的初始态能量和动量及终态能量和动量,当跃迁只涉及一个光子时,选择定则可表示为:; 在间接带隙半导体中
上式不再相等,为满足选择定则,跃迁过程一定有声子参与(声子:晶格振动能量的单位,有能量、动量)。
这时动量守恒可表示为: ; 在间接
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