论文开题报告ZnO基薄膜晶体管（TFT）器件研究.docVIP

电 子 科 技 大 学 2008 级本科毕业设计（论文）开题报告表 2803303006 学院：微电子与固体电子学院 专业：电子科学与技术（固体电子工程） 学位论文题目 ZnO基薄膜晶体管（TFT）器件研究 学位论文题目来源：√ 1.科研　 2.生产　 3.教学（含实验） 4.其它 （在选项上打勾选择） 学位论文成果形式：√ 1.硬件 2.硬件+软件 3.软件 4.纯论文 （在选项上打勾选择） 学位　　论文　　研究 内容 研究现状及发展态势 由于ZnO-TFT具有低温生长、高迁移率以及全透明的优点， ZnO基TFT 最近几年引起广泛的关注, 国外一些大学、研究所和公司纷纷投入了大量的人力物力进行开发。 Hoffman[1]等人采用离子束溅射沉积制备了ZnO一TFT，同样采用交错底栅TFTs结构，以ITO作为栅极和源漏电极，原子层外延法生长的铝钦氧化物(ATO)作为栅绝缘层。它的阈值电压为10—20V，场效应迁移率的范围为0.3一 2.5cm2v-1s-1，漏电流开关比为105。 Carcia [2]等人在接近室温的条件下采用磁控溅射法在硅衬底上沉积ZnO膜制成 ZnOTFTs，场效应迁移率2cm2v-1s-1，漏电流开关电流比106。这证明了低温工艺的可行性，使得 ZnOTFT有潜力实现温度敏感衬底的柔性电子应用。 韩国Ajou University[3] 在4500C的工艺温度下采用金属化学气相沉积的方法 在SiO2栅绝缘层沉积 ZnO 薄膜 达到了107的开关比和 15cm2v-1s-1的迁移率。 韩国Hanyang University [4]在70~1300C的工艺温度下采用ALD的方法 在热氧化的SiO2栅绝缘层沉积 ZnO 薄膜 达到了106的开关比和 8.82X10-3m2v-1s-的迁移率。但由于用ALD（原子沉积）法成本高，不适合大尺寸器件的制备。 日本Koganei [5]通过使用磁控溅射热处理和激光退火处理，在室温条件下，在热氧化SiO2 栅绝缘层沉积 ZnO 薄膜 ，器件开关比106 ，迁移率为 12cm2v-1s-1。 日本仙台国立学院[6]采用低压化学气相沉积的方法，在5000C下，同样也在 热氧化SiO2 栅绝缘层上沉积，器件开关比和迁移率分别为106 6cm2v-1s-1. 在国内，西安交通大学信息光子技术重点实验室[3]在硅衬底ZnO-TFT制备中采用热氧化工艺生长SiO2 薄膜作为绝缘层,金属铝为源漏电极,该器件工作在N 沟道增强模式,阈值电压为8V ,电流开关比为5 ×103电子的场迁移率达到0. 61 cm2v-1s-1 。并在SiO2、Al2O3 、SiNx 、PbTiO3 薄膜绝缘层上沉积出高质量的ZnO 薄膜,在可见光波段有较高的光学透过率。 上海大学新型显示技术与应用集成教育重点实验室[4]采用射频磁控溅射法制备的ZnO-TFT的场效应迁移率和开关比分别达到 2. 5cm2v-1s-1和106。 Zno薄膜很容易形成多晶态，存在不可忽视的大量晶界和氧缺陷，并且形成器件后稳定性差。但是，高质量的Zn0薄膜在可见光范围有很高的透过率，理论上可以制备出可见光波段全透明薄膜晶体管,使显示单元开口率100 %[5]。 目前面对Si：H TFT 和p-Si TFT 所存在的迁移、功耗高等缺点，一个可能的解决办法就是利用ZnO 透明半导体材料作活性层，制备新型TFT器件。ZnO-TFT 能获得较高的电子迁移率，能实现较大的驱动电流、较快的器件响应速度。ZnO-TFT 导电沟道属N 型沟道，器件的电子迁移率[6]大致在0.2～7cm2v-1s-1，开关比105～108，开启电压-1V～15V。ZnO-TFT 器件，在可见光谱范围均有较高的光透过率，很小的光敏退化性，不用加掩膜层，制作工艺相对简单，并可在玻璃等廉价材料上制备，与弹性、塑性材料工艺兼容。目前的研究较多的是ZnO—TFT光学透过率和器件稳定性问题。 2.选题依据及意义 薄膜晶体管（TFT）是一种绝缘栅场效应晶体管，以n沟 MOSFET 为例,当栅极施以正电压时，栅压在栅绝缘层中产生由栅电极指向半导体表面的电场，并在表面处产生感应电荷（耗尽层）。当达到强反型时（即栅压达到开启电压时），源、漏间加上电压就会有载流子通过沟道。当源漏电压很小时，导电沟道近似为一恒定电阻，漏电流随源漏电压增加而线性增大。当源漏电压继续增加时, 在漏端的正电压正好抵消了栅电压, 反型层在漏端发生夹断, 此时源漏电压称为饱和电压。当继续增加源漏电压, 沟道反型层的夹断点向源端移动, 使得沟道的有效长度减小, 源漏电流基本保持不变（