铸造多晶硅课件.pptVIP

离子注入法：将N型（或P型）掺杂剂的离子束在静电场中间加速，注入P型（或N型）半导体表面区域，在表面形成型号与基体相反的半导体 ，从而形成半导体。 薄膜生长法：在N型或P型半导体材料的表面，通过气相、液相等外延技术生长一层具有相反导电类型的半导体薄膜，从而形成PN结。 * 杂质的作用 引入能级（掺杂元素引入能级造成的影响是怎样的？） 杂质补偿 电阻率（或电导率）跟杂质的浓度有关。单一一种杂质浓度时： Cs→N (杂质浓度→载流子浓度） * P型材料的B原子是带正电（空穴）的，而N型材料的P原子是带负电（电子）的，如果这两种杂质共存的话，电子和空穴互相填充，均失去了导电性，所以宏观上会表现出电阻率升高的情况——施主杂质与受主杂质的“补偿”现象。 当半导体中同时存在施主和受主杂质时，半导体是N型还是P型呢？ * NDNA 因为受主能级低于施主能级，所以施主杂质的电子首先跃迁到NA个受主能级上，还有ND-NA个电子在施主能级上，杂质全部电离时，跃迁到导带中的导电电子的浓度为n= ND-NA。即则有效施主浓度为NAeff≈ ND-NA EC EV ED EA * NAND 施主能级上的全部电子跃迁到受主能级上，受主能级上还有NA-ND个空穴，它们可接受价带上的NA-ND个电子，在价带中形成的空穴浓度p= NA-ND. 即有效受主浓度为NAeff≈ NA-ND EC EV ED EA * NA≈ND 不能向导带和价带提供电子和空穴，称为杂质的高度补偿. 这种材料容易被误认高纯半导体，实际上含杂质很多，性能很差， 不能用来制造半导体器件. * 在铸造多晶硅制备过程中，可以利用方形的高纯石墨作为坩埚，也可以利用高纯石英作为坩埚。 高纯石墨的成本比较便宜，但是有较多可能的碳污染和金属污染；高纯石英的成本较高，但污染少，要制备优质的铸造多晶硅就必须利用石英坩埚。 * 析晶 石英坩埚的变形 石英坩埚的破裂 * 原因： 1、石英坩埚受到沾污，碱金属离子钾（K）钠（Na）锂（Li）和碱土金属离子钙（Ca）镁（Mg）这些离子的存在是石英坩埚产生析晶的主要因素； 2、在操作过程中，因操作方法不当也会产生析晶如在防止石英坩埚和装填硅料的过程中，带入的汗水，口水，油污，尘埃等； 3、新的石墨坩埚未经彻底煅烧或受到沾污就投入使用是造成石英坩埚外层析晶的主要原因； 4、用于拉晶的原料纯度低，所含杂质太多或清洗工艺存在问题； 5 熔料时温度过高，也将加重析晶的程度； 6 石英坩埚的生产，清洗，包装过程中受到沾污。 * 析晶的影响 破坏坩埚内壁的涂层，导致气泡层与熔硅反应； 石英坩埚变薄，强度降低，导致坩埚变形。 解决方法：针对问题出现的原因。（预防、质量控制、熔料控制） * 原因: 1、装料方法不当； 2、熔料方法不当； 3、熔料功率不当； 4、原料问题； 5、石英本身存在质量问题； 6、放置坩埚和装填硅料时操作不当造成玷污。 7、原有厚度太薄，强度不够。 * 原因 熔料方法不当； 熔料温度不当； 原料的杂质和原料在清洗和装填过程中受到的沾污对坩埚产生侵蚀作用； 其他问题：使用时间过长；煅烧不够即投入使用；隐裂等。 * 工艺上一般利用Si3N4或SiO/SiN等材料作为涂层，附加在石英坩埚的内壁。 ②利用Si3N4涂层，还使得石英坩埚可能得到重复使用，达到降低生产成本的目的。 ①隔离了硅熔体和石英坩埚的直接接触，不仅能解决黏滞问题，而且可以降低多晶硅中的氧、碳杂质浓度。 涂层的作用 * 预热 熔化 长晶 退火 冷却 室温~1200℃ 15h 1200~1550℃ 5h 开始充氩气 1400~1440℃ 10h 连续充气 1000~1400℃ 8.5h 连续充气 400~1000℃ 6h 连续充气 * 杂质：C、O、金属 晶体缺陷：晶界；位错 对比单晶硅中的杂质的行为，多晶硅的质量影响因素的行为？ * * 自20世纪80年代铸造多晶硅发明和应用以来，增长迅速，80年代末期它仅占太阳电池材料的10%左右，而至1996年底它已占整个太阳电池材料的36%左右，它以相对低成本、高效率的优势不断挤占单晶硅的市场，成为最有竞争力的太阳电池材料。21世纪初已占50%以上，成为最主要的太阳电池材料。 * 优点： 铸造多晶硅是利用特定铸造技术，在方形坩埚中制备晶体硅材料，其生长简便，易于大尺寸生长，易于自动化生长和控制，并且很容易直接切成方形硅片； 材料的损耗小，同时铸造多晶硅生长相对能耗小，促使材料的成本进一步降低，而且铸造多晶硅技术对硅原料纯度的容忍度比直拉单晶硅高。 缺点：铸造多晶硅具有晶界、高密度的位错、微缺陷和相对较高的杂质浓度