集成电路设计技术与工具Ch05MOS场效应管的特性教案.pptVIP

* 5.7.3 沟道长度调制 简化的MOS原理中，认为饱和后，电流不再增加。事实上，饱和区中，当Vds增加时，Ids仍然增加的。这是因为沟道两端的耗尽区的宽度增加了，而反型层上的饱和电压不变，沟道距离减小了，于是沟道中水平电场增强了，增加了电流。故器件的有效沟道长度为， L = L?? 式中?是漏极区的耗尽区的 宽度，如右图所示，且有 其中Vds?VDsat?是耗尽区上的电压。如果衬底掺杂高，那么这种调制效应就减小了。 * 5.7.4 短沟道效应引起门限电压变化 迄今，我们对MOS管的分析全是一维的。无论是垂直方向，还是水平方向，都是一维计算的。我们隐含地假定，所有的电场效应都是正交的。然而，这种假定在沟道区的边沿上是不成立的。因为沟道很短，很窄，边沿效应对器件特性有重大影响。（最重要的短沟道效应是VT的减小。） 加在栅极上的正电压首先是用来赶走P型衬底中的多数载流子——空穴，使栅极下面的区域形成耗尽层，从而降低了Si表面的电位。当这个电位低到P型衬底的费米能级时，半导体出现中性。这时，电子浓度和空穴浓度相等。若再增加栅极电压，就形成反型层。 * 短沟道效应引起门限电压变化(续) 栅极感应所生成的耗尽区，与源、漏耗尽区是连接在一起的。显然，有部分区域是重叠的。那里的耗尽区是由栅极感应与扩散平衡共同形成的。差不多一半由感应产生，另一半由扩散形成。这样，栅极电压只要稍加一点，就可以在栅极下面形成耗尽区，如下图所示。 QB = QB?QL 故门限电压VT必然降低。 图 5.13 * 短沟道效应引起门限电压变化(续) 对于长沟道MOS管，影响不大。但是当沟道长度L5?后，VT降低是极其明显的，如图所示。 图 5.14 * 5.7.5 狭沟道引起的门限电压VT的变化 如果沟道太窄，即W太小，那么栅极的边缘电场会引起Si衬底中的电离化，产生了附加的耗尽区，因而，增加了门限电压，如图所示。 由此可见，这些短沟道、狭沟道效应，对于工艺控制是比较敏感的。 图 5.15 * VT的理想计算公式 在工艺环境确定后，MOS管的阈值电压VT主要决定于： 1. 衬底的掺杂浓度Na。 2. Cox * 5.3 MOSFET的体效应 前面的推导都假设源极和衬底都接地，认为Vgs是加在栅极与衬底之间的。实际上，在许多场合，源极与衬底并不连接在一起。通常，衬底是接地的，但源极未必接地,源极不接地时对VT值的影响称为体效应(Body Effect)。 图 5.6 * 图5.7 某一CMOS工艺条件下，NMOS阈值电压随源极-衬底电压的变化曲线 * 5.4 MOSFET的温度特性 MOSFET的温度特性主要来源于沟道中载流子的迁移率μ 和阈值电压VT随温度的变化。 载流子的迁移率随温度变化的基本特征是： T? ? μ ? 由于 所以， T? ? gm? 阈值电压VT的绝对值同样是随温度的升高而减小： T? ? ?VT?? ??VT(T)?? (2 ? 4) mV/°C ?VT?的变化与衬底的杂质浓度Ni和氧化层的厚 度tox有关： (Ni ?, tox?) ? ??VT(T)? ? * 5.5 MOSFET的噪声 MOSFET的噪声来源主要由两部分： 热噪声 (thermal noise) 闪烁噪声(flicker noise，1/f-noise) * MOSFET的噪声(续) 热噪声是由沟道内载流子的无规则热运动造成 的，通过沟道电阻生成热噪声电压 veg(T，t)，其等效电压值可近似表达为 Df为所研究的频带宽度, T是绝对温度. 设MOS模拟电路工作在饱和区, gm可写为 所以， 结论：增加MOS的栅宽和偏置电流，可减小器件的热噪声。 * 闪烁噪声(flicker noise，1/f -noise)的形成机理： 沟道处SiO2与Si界面上电子的充放电而引起。 闪烁噪声的等效电压值可表达为 K2是一个系数，典型值为3?1024V2F/Hz。 因为 ??1，所以闪烁噪声被称之为1/f 噪声。 电路设计时，增加栅长W，可降低闪烁噪声。 MOSFET的噪声(续) * 两点重要说明： 1. 有源器件的噪声特性对于小信号放大器和振荡器等模拟电路的设计是至关重要的； 2. 所有FET(MOSFET, MESFET等)的1/f 噪声都高出相应的BJT的1/f 噪声约10倍。这一特征在考虑振荡器电路方案时必须要给予重视。 MOSFET的噪声(续) * 5.6 MOSFET尺寸按比例缩小(Scaling-down) * MOSF