Chap8-基本成形-表面准备至曝光.ppt

3. 旋轉塗上光阻 厚度0.5?1.5μm；均勻度0.01μm 薄膜厚度決定參數: 1.光阻黏度 2.旋轉速度,加速度 3.表面張力 4.光阻乾燥的特性 方法 加熱時間 (分鐘) 溫度控制 生產方式 速率：每小時生產晶圓片數 是否需要等待 熱平板 5-15 優良 單片或小批量 60 是 對流烤箱 30 普通至優良 批量 400 是 真空烤箱 30 不佳至普通 批量 200 是 紅外線輸送帶 5-7 不佳至普通 單片 90 否 傳導加熱式輸送帶 5-7 普通 單片 90 否 微波 0.25 不佳至普通 單片 60 否 圖8.41 　軟烤的各種方法表 5.定位及曝光(alignment and exposure) 定位:將所需要的影像(光罩)對準於晶圓表面 曝光:用光或其他輻射源將該影像轉移至光阻層上 微影的重要性 -晶片能發揮功能的條件:光阻上影像正確定位，尺寸精確 -微影區時間佔全部製程時間60% 微影的困難性 -製程需15~20層的不同圖案 -每層數千萬個元件重疊(或相鄰) -圖案投影允許公差為特徵尺寸的1/3 定位曝光機的功能 (aligner簡稱曝光機) 曝光機由二子系統組成 子系統1: 將圖案調至晶圓表面正確的位置 子系統2: 曝光源及將輻射光線引導至晶圓上的機構 曝光機的重要性能參數 ?解析能力(resolution capability) 製造出某種特定尺寸影像的能力 ?登記能力(registration capability) 將許多影像放置於彼此位置正確處 ?擁有成本(ownership cost) -初採購費用 -產出量(晶圓裝填、定位、曝光、卸下的時間) -維護費用 -機器的使用運轉時間 ? 解析能力限制 ? 定位精確度 ? 污染程度 ? 可信賴度 ? 產能 ? 擁有設備的全部花費 　 圖8.42 選擇曝光機的要點 定位及曝光系統 圖8.43 　曝光機種類表 曝光光源 單頻（波長）、波長短光源 -減少折射(diffraction）影像不模糊 -能量高,減少曝光時間 傳統光學式 (1)高壓水銀燈之紫外線(UV）波長365(I），405(H），436(G）nm (2)深紫外光(DUV）254nm (3)氣體雷射光 XeF(351),XeCl(308）,RF(248）,AF(913）nm 非傳統光學式 （1）X-ray （2）E-Beam（電子射束） 定位的要點 將光罩上的記號調整到晶圓圖案上的相關記號位置 定位偏移(misalignment):定位的誤差 -x及y方向的偏差 -旋轉 -圖案在光罩上有旋轉 -向外失距(run-out)及向內失距(run-in) 圖8.44 　光罩的定位 圖8.45 定位用的標記種類 圖8.46 　定位偏移的種類 (a) X方向(b) 旋轉(c) 向外失距 (1)接觸式曝光機 (contact aligners) 1970中期以前，5μm之技術 缺點 -顆粒污染會破壞光阻、光罩 -光罩每曝光15~20次須清洗或汰換 -若晶圓大，則光線不均勻、影像變異，定位困難 定位-曝光機（Aligner） 圖8.47 　接觸式曝光機系統：(a) 定位階段；(b) 接觸階段 (2)近接式曝光機(proximity aligners) -晶圓和光罩間彼此保持極短的距離/輕微接觸 -因為間隙，因此光有散射現象，光阻上影像模糊 效能: 在解析度和缺陷密度間妥協 (3)掃描投影式曝光機(Scanning Projection aligner） -不將整片光罩一次曝光 -用鏡面系統配合狹縫(slit)使光線均勻(平行) -先投影至鏡面，再投影至晶圓 -狹縫尺寸遠小於晶圓，須以掃描方式逐步將影像投射在晶圓上 -1：1的曝光機:光罩的圖案尺寸和晶圓影像尺寸相同 圖8.48 投影式曝光機的原理 圖8.49 柏金．艾瑪公司的光投影系統 (4)步進機(stepper） 用光罩(reticle或數個影像)投影晶圓，多次前進、定位、曝光 優點 -每次重新定位，精確度高 -縮影步進機reduction stepper光罩圖形5:1或10:1，再縮小在晶圓上 (圖案大光罩易製作,精度高,灰塵影像縮小) 定位系統原理 -低能雷射光(雷射定位） -影像處理(vision system） 視覺系統晶圓影像比較電腦中mask之影像調整…….. (5)步進掃描式曝光機(step and scan aligner) 配較小透鏡