[高等教育]8_扩展电阻法测硅片微区电阻率变化.docVIP

实验八 扩展电阻法测硅片微区电阻率变化 扩展电阻探针法用于定量测量某些半导体材料的局部点导率，空间分辨率高测量取样体积为10-10cm3左右，测量重复精度优于1%。将硅片磨角后用扩展电阻法可以测量分辨深度方向30nm以内电阻率的变化。因此，扩展电阻探针是硅材料及器件生产工艺质量测试手段，也可以用于砷化镓、 化铟等其他半导体材料的电阻率分布测试。 一、实验目的 1、了 解扩展电阻探针法的物理模型及测试原理； 2、学会用扩展电阻探针法测量硅单晶片微区电阻率的不均匀性； 3、掌握硅片小磨抛技术；测量离子注入、扩散和外延片中电阻率在深度方向的分布。 二、实验原理 扩展电阻，又叫集中电阻，它的基本现象是从点接触二极管中发现的。金属探针与均匀半导体形成压力接触（探针形状及尺寸如图8.1所示）且半导体的线度相对于探针和半导体的接触半径而言可视为穷大，若有电流从探针流入半导体，则电流在接触点集中，而在半导体中沿方向呈辐射状，如图8.2所示。 此时探针止半导体底端的电阻可由微分电阻累加而得。 s= △+△+???+ △ =i （8.1） 式中每个小电阻是距离接触中心为处的半球面的微分电阻，即 △i = r （8.2） 式中为电阻率。 当时，（8.1）式可变换为积分形式 =dr= （8.3） 若把积分分为~和~两个区域，~范围内的总电阻为 = （8.4） 既~的贡献只占电阻的。由此可见整个电阻主要集中在探针接触点附近，因而这个电阻又叫集中电阻或扩展电阻。上面的分析是假定探针和半导体接触后，接触面呈半球状。如图8.2所示。在实际应用中，探针的直径通常为0.5mm左右,针尖的椎角为45°左右，针尖的曲率半径r0为20um左右，见图8.1。这样小的针尖与半导体接触时探针尖要产生微小的变化，因此探针与半导体的接触面更接近于以a为半径的圆盘，如图8.2所示，在金属半导体接触电势差与接触电阻可以忽略的情况下，可以计算出理想的扩展电阻值为 （8.5） 其中a为探针与半导体接触的圆盘半径。值可以由下式求得： （8.6） 式中，F是加在接触探针上的压力，、是两种接触材料的杨氏模量。 实验中可以通过显微镜测量压压痕来估计值的大小，但压痕并非是理想的圆盘。由于针尖的结构毛糙，压痕是许多接触点集合组成的。另外，上面的讨论建立在金属探针与半导体完全欧姆接触的理想情况上，实际上金属于半导体接触后，由于它们之间功函数的差别，都程度不同的存在接触电势差，在探针与半导体接触出会形成势垒。此时，金属探针与半导体之间的总电阻，即实际测得的扩展电阻可表示为 （8.7） 式中，Rb0是接触电阻，无法从理论上计算。因此由于实际接触不是理想的 平面欧姆接触，需对（8.7）式用实验的校正因子K进行校正，既 （8.8） 式中K值和无法求出的值都是关系的比例系数，K还是样品电阻率的函数，所以一般通过实验来确定校正曲线。有了校正曲线，只要测扩展电阻值，就可以从校正曲线上查处对应的电阻率。 确定校正曲线的方法如下： （1）先选电阻率处于测量范围的单晶片作标准样品。在每个样品上进行20次以上的扩展电阻测量，检验其电阻率的均匀性。标准偏差小于10%则认为该标准样品可用。标准样品应与被测有相同的表面状态、导电类型和晶向。 （2）用四探针准确测量标定个标准样品的电阻率。 （3）四探针测量区域内，至少作20次扩展电阻测量，计算扩展电阻的平均值。 （4）在双对数坐标纸上画出定标曲线。 扩展电阻探针在测量外延、扩散和离子注入等分层结构的样品时，由于被测样品为厚度小于10的薄层（如薄外延，器件工艺中的隐埋、硼、磷扩散，离子注入层等）样品就不能被视为半无边大。此时，（8.8）式应改写为 （8.9） 式中， 为探针接触的表层电阻率；CF为被测材料与探针有关的修正因子。 三、实验仪器与设备 四探针电阻率测试仪、稳恒电流源、探针、Si片样品 四、实验内容与步骤 1．测试硅单晶片径向电阻率的均匀性 （1）将以知导电类型和晶向的硅单晶片进行镜面抛光，然