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硅片产成品检测基础知识培训
产成品检测基础知识培训 一、单晶圆棒-术语 S形晶体:由于受热场和温度的影响,晶体生长时纵向发生扭曲现象。(划线时注意:严重S型时去除,轻微时尽量划到某根棒子的一端,以确保另一端水平,便于粘棒) 崩边:在加工或运输过程中产生,晶体边缘或表面未贯穿晶体的局部缺陷区域,其尺寸由纵向有效长度给出。(方棒在检测时易产生崩边) 一、单晶圆棒-术语 裂纹及裂痕:延伸到晶体表面,可能贯穿,也可能不贯穿整个晶体的解理。 解理面:晶体在外力作用下严格沿着一定结晶方向破裂,并且能裂出光滑平面的性质称为解理,这些平面称为解理面。 (硅晶体的解理面是(111)晶面族) 线(刀)痕:线切时在晶体表面留下的表面不平的痕迹。 一、单晶圆棒-术语 孪晶:在晶体内晶格是两部分,彼此成镜象对称的晶体结构。(沿(111)面划移,可以看到明显的色差,注意圆棒表面检测) 滑移线:沿着滑移面滑移时在晶体表面形成的线。 嵌晶:在晶体表面嵌入另一个晶核形成的小晶体。 位错:在剪切应力作用下,晶体内部某一区域的上、下两部分发生相对位移,结果在晶体中某一位置出现多余的原子半平面,半平面端线处形成畸变区,称位错线,简称位错。(位错是一种线缺陷) 一、单晶圆棒-术语 位错密度:单位体积内位错线的总长度,通常是指单位表面积上位错蚀坑的数目(个/cm2) 一、单晶圆棒-术语 有效长度:合格品长度,即晶体实际长度减去崩边长度、直径不合格长度。 严重S型,切除 裂纹裂痕、崩边长度小于10 mm时减长度。 孪晶,切除 6 吋 返切 50 mm 位错返切 6.5吋 返切 60 mm 7 吋 返切 80 mm 8 吋 返切100 mm 一、单晶圆棒-检测内容 长度:125 ≤L≤ 295 或 295 <L≤ 395 (mm) 林洋 切单晶有2种机型NTC442和PV800? NTC442工件板长度为300mm (295mm ), PV800工件版长度为400mm (395mm ) , 端面偏差度: ︱L1-L2︱≤ 2 (mm) 一、单晶圆棒-检测内容 直径 检测 规格 直径(mm) 允许局部偏细(mm) 6 吋 ≥156 155≤D<156 (局部) 6.5吋 ≥168 167≤D<168 (局部) 7 吋 ≥180 179≤D<180 (局部) 8 吋 ≥206 205≤D<206 (局部) 局部偏细的圆棒,让步放行到开方工序。 开方后倒角合格,按正常品发货; 开方后倒角偏大,不合格长度较短,不计入有效长度, 开方后倒角偏大,不合格长度较长,总棒按小一号规格发货。 (例6.5吋倒角偏大时可改按6吋规格发货,8吋棒除外) 一、单晶圆棒-检测内容 导电类型: P 型 电阻率: 0.5~3或3~6 Ω.cm 氧 含 量: ≤1.0E+18 (atoms/cm3) 等级 碳含量(atoms/cm3) 少子寿命(μs) A等 ≤ 5.0E+16 > 10 B等 ≤ 1.0E+17 5 <τ≤ 10 C等 ≤ 2.0E+17 3 <τ≤5 D等 ≤ 5.0E+17 2 <τ≤3 备注:等级分类的各项指标必须全部达到A等时,方可标注A等,其余等级以此类推。 二、单晶准方棒-术语 边长: 下图中A的长度即为边长,单位mm。 对角线:每两个相对棱线之间,如下图中B的 长度即为对角线,单位mm 。 表面宽度:下图中C的长度即为表面宽度, 单位mm。 倒角宽度:开方后四个R处的弦长,右图D的长度,单位mm 。 垂直偏移量:晶体相邻两个面之间的倾斜程度,单位mm。 二、单晶准方棒-检测内容 长 度:125 ≤L≤ 295 或 295 <L≤ 395(mm) 垂直偏移量:≤ 0.3(mm) 表面平整度 :≤ 0.2(mm) (相似与端面宽度) 型 号:P 型 电阻率P:0.5~3.0或3.0~6.0(Ω.cm) 氧含量:≤1.0E+18(atoms/cm3) 碳含量、少子寿命:参考圆棒检测结果。 二、单晶准方棒-检测内容 规格 对角线 边长 倒角 6 吋 ≥ 156.0(153) ≥ 125.2(125) ≤ 26.0(26.3) 6.5吋 ≥ 168.0(165) ≥ 125.2(125) ≤ 12.0(12.5) 7 吋 ≥ 180.0(177) ≥ 125.2(125) ≤ 0.5( 1
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