第7讲 场效应管及其放大电路.ppt

第六讲 场效应管及其放大电路 2、增强型MOS管uDS对iD的影响 4. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 分压式偏置电路 三、场效应管放大电路的动态分析 1. 场效应管的交流等效模型 2. 基本共源放大电路的动态分析 3. 基本共漏放大电路的动态分析 基本共漏放大电路输出电阻的分析 四、复合管 复合管的组成：多只管子合理连接等效成一只管子。 讨论一判断下列各图是否能组成复合管 * 一、场效应管 二、场效应管放大电路静态工作点的设置方法 三、场效应管放大电路的动态分析 四、复合管 取一块P型半导体作为衬底，用B表示。 用氧化工艺生成一层SiO2 薄膜绝缘层。 然后用光刻工艺腐蚀出两个孔。 扩散两个高掺杂的N型区。从而形成两个PN结。（绿色部分） 从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。 在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。 N沟道增强型MOSFET的符号如左图所示。左面的一个衬底在内部与源极相连，右面的一个没有连接，使用时需要在外部连接。 一、绝缘栅型场效应管（ N沟道增强型MOSFET ） 1、结构 iD随uDS的增大而增大，可变电阻区 uGD＝UGS（th）,预夹断 iD几乎仅仅受控于uGS，恒流区 刚出现夹断 从漏极输出特性曲线可以得到转移特性曲线： 3、MOS管的伏安特性 漏极输出特性曲线 转移特性曲线 即典型的Q点稳定电路 二、场效应管静态工作点的设置方法 近似分析时可认为其为无穷大！ 与晶体管的h参数等效模型类比： 若Rd=3kΩ， Rg=5kΩ， gm=2mS，则 与共射电路比较。 若Rs=3kΩ，gm=2mS，则 若Rs=3kΩ，gm=2mS，则Ro=? 不同类型的管子复合后，其类型决定于T1管。 目的：增大β，减小前级驱动电流，改变管子的类型。 在合适的外加电压下，每只管子的电流都有合适的通路，才能组成复合管。 本节课的教学目的： 1、了解各种场效应管的工作原理、特性和主要参数；与晶体管相比较，掌握场效应管三个工作区域的特点。 2、学会为场效应管放大电路设置Q点。 3、通过对场效应管放大电路的分析，进一步掌握放大电路的基本分析方法。 4、与晶体管放大电路相比较，掌握场效应管放大电路的特点。 5、学会组成复合管。 讲清为什么进入恒流区时iD几乎仅仅受控于uGS。 与晶体管类比，自学场效应管的主要参数。 与共射放大电路类比。 与共集放大电路相类比。 *