[工学]第 十五 章 压阻式传感器.ppt

第 十五 章 压阻式传感器 §15.1 半导体压阻效应与压阻系数 §15.2 晶向的表示方法 §15.3 压阻系数 §15.4 压阻式传感器 §15.5 压阻式传感器的温度补偿 §15.6 压阻式传感器的优缺点 §15.1 概述 半导体压阻效应：当半导体材料在某一方向承受应力时，它的电阻率发生变化的现象。 分类： 粘贴型压阻传感器：半导体应变片 扩散型压阻传感器：与硅膜片一体化 阻值变化 压阻式传感器的特点 灵敏度高 分辨率高 频率响应高 温度误差大 须温度补偿 恒温使用 §15.2 晶向的表示方法 半导体单晶硅是各向异性体 晶列 晶面 晶向：晶面的法线方向 面间距： 晶面表示方法 密勒指数 表示方式 例： 判断两晶面垂直 判断或求出与两晶向都垂直的第三晶向 §15.3 压阻系数 一、单晶硅的压阻系数 电阻率的变化与应力分量之间的关系 分析 正向压阻系数相等 横向压阻系数相等 剪切压阻系数相等 切应力不可能产生正向压阻效应 正向应力不可能产生剪切压阻效应 剪切应力只能在剪切应力平面内产生压阻效应 压阻系数矩阵 独立的压阻系数分量 纵向压阻系数：π11 横向压阻系数：π12 剪切压阻系数：π44 二、任意方向（P方向）电阻变化 将各个压阻系数向P、Q方向投影 分析 对P型硅(掺杂三价元素）： π11、 π12≈0，只考虑π44 ： 对N型硅(掺杂五价元素） ： π44 ≈0 ， π12 ≈ -1/2π 11、 ， 关于方向余弦 某晶向x,y,z的方向余弦为： 例1：计算（100）晶面内〈011〉晶向的纵向与横向压阻系数 例2：计算（110）晶面内〈110〉晶向的纵向与横向压阻系数 例3：作出P型硅（100）晶面内纵向与横向压阻系数分布图 三、影响压阻系数大小的因素 1、压阻系数与杂质浓度的关系 解释： 2、压阻系数与温度的关系 解释： 载流子浓度的影响 Ns大： π受温度影响小 π44↓→灵敏度低 高浓度扩散，使p-n结击穿电压↓→绝缘电阻↓→漏电→漂移→性能不稳定 §15.4 压阻式传感器 一、压阻式压力传感器 测量电桥 圆硅膜片的应力分析 按小挠度理论： 应力/应变分析 硅膜片的晶向选择与电阻位置的确定 晶向选择：常用（100），（110），（111）等 电阻条位置： 总是在某一晶面内选择两个相互垂直的晶向扩散电阻 电阻的变化符合电桥要求 电阻的变化量尽量大 方案一：既利用纵向压阻效应又利用横向压阻效应 在001晶向的N型硅膜片上，沿110与110二晶向扩散四个P型电阻条 在110晶向：扩散两个径向电阻 在110晶向：扩散两个切向电阻 所以： 或扩散在0.812a处，此时σt=0 方案二：只利用纵向压电效应 在110晶向的N型硅膜片上，沿110晶向在0.635a之内与之外各扩散两个P型电阻条，110的横向为001 在0.635a之内、外，σr分别为正、负，所以： 第二种布片方法： 压阻式传感器可测频率 二、压阻式加速度传感器 悬臂梁单晶硅衬底采用（001）晶向，沿110与110晶向分别扩散二个电阻条 悬臂梁应力分析 在110晶向扩散两个电阻R1R2 110晶向的压阻系数： 其电阻变化为： 在110晶向扩散两个电阻R3R4 其电阻变化为： 三、压阻式传感器的输出 1、恒压源供电 扩散电阻起始阻值都为R，当有应力作用时，两个电阻阻值增加，两个减小；温度变化引起的阻值变化为△Rt： 电桥输出为： 当△Rt=0时： 2、恒流源供电 §15.5 温度漂移的补偿 一、零位温度漂移 补偿方法： 补偿原理： Rs Rp温度特性已知： 二、灵敏度温度漂移 补偿方法：改变电流电压的方法 补偿线路1 补偿线路2： 串联正向二极管：二极管温度特性：T↑→正向压降↓ 压阻式传感器常用补偿方法 线路补偿 软件补偿 专用补偿芯片补偿 §15.6 压阻式传感器的优缺点 灵敏度高 分辨率高 精度高 尺寸小 频响高 温度影响较大（常温下可以不补偿） 本章要点 压阻式传感器的工作原理 压阻系数、阻值变化的计算 压阻式传感器的分析 温度漂移及其补偿 基座 l b h 110 110 m：质量块的质量(kg) b,h：悬臂梁的宽度和厚度（m） l：质量块的中心至悬臂梁根部的距离（m） a：加速度(m/s2) 110晶向的压阻系数： R1+ △R1 R2 - △R2 USC R3- △R3 R4+ △R4 △Rt≠0时，Usc=f(△ t)是非线性关系，恒压源供电不能消除温度影响。 R1+ △R1 R2 - △R2 USC R3- △R3 R4+ △R4 A B C D 输出与I有关 输出与温度无关，不受温度影响 精度要求不高时用恒压源供电 漂移的原因：扩散电阻的阻值随温度变化而引起。 Rt=R0（1+α△t） 温度 电阻 Ns小、