[工学]1 常用半导体器件.pptVIP

N沟道绝缘栅型场效应管IGFET 开启电压 第一章 常用半导体器件 * 例6：由输出特性判别场效应管的类型。 （1）根据iD 方向判断沟道 若iD为正，为N沟道 若iD为负，为P沟道 （2）根据uGS方向判断极型 若uGS 0，为结型 若uGS 0，为增强型MOS 若uGS任意，为耗尽型MOS 如何判断场效应管的类型？ 答案：N沟道增强型MOS管 第一章 常用半导体器件 * 例7：分析uI分别为0V、8V和10V时工作区域，并求uO。 如何判断场效应管的工作区域？ N沟道方法如下，P沟道相反 （1）根据uGS判断是否夹断 若uGSUGS,为夹断区 （2）若未夹断，根据uDS判断工作区域 uDSuGS-UGS,为可变电阻区 uDS=uGS-UGS,为预夹断 uDSuGS-UGS,为恒流区 P69 1.24 第一章 常用半导体器件 * 解： （1） 管子处于夹断区 管子处于恒流区 （2） 管子处于可变电阻区 （3） 第一章 常用半导体器件 * 例7：已知UGS(off)= -4V，IDSS= 4mA 为保证RL上的电流为恒流，RL的取值范围？ 解: 要保证RL上的电流为恒流 则 则 则 故 第一章 常用半导体器件 * 电压控制与电流控制（最重要的区别） 多子导电（单极）与多子、少子共同导电（双极）（前者温度稳定性更好） 噪声系统很小 漏源可以互换 耗尽型MOS管的uGS可正可负，均能控制漏极电流 两者均可用于放大和开关电路 场效应管和三极管的比较 第一章 常用半导体器件 * 本征→杂质→PN结→二极管 半导体中的两种载流子 热激发、扩散和漂移、动态平衡 二极管的单向导电性 三极管处于放大状态的外部条件以及电流分配 场效应管的输出、转移特性曲线 小结 第一章 常用半导体器件 * * 模拟电子技术基础 周慕逊 614129 2010.9 导言 应用领域 课程特点 学习方法 调整模电并非魔电的心态 重点掌握 “基本概念、基本电路、基本分析方法” 了解电子技术的新发展 工程性 实践性 语音放大系统 水温控制系统 火警报警系统 重视实验与实践 学会全面、辨正地分析模拟电子电路中的问题 提取 预处理 加工 驱动 模拟电子系统 明确知识点、要求、重点、难点，做好习题 第一章 常用半导体器件 知识点 半导体基础知识 半导体二极管 晶体三极管 场效应管 要求 掌握一些重要概念 掌握二极管的伏安特性 掌握三极管的共射特性曲线及主要参数 掌握N沟道场效应管的特性曲线 熟悉稳压二极管、光电/发光二极管、发光三极管 重点：单向导电性、特性曲线 难点：工作区域判断 第一讲 半导体基础知识 二、本征半导体 一、半导体 第一章 常用半导体器件 * 导电性能是否可控？ 1、材料：硅(Si)、锗(Ge) 2、导电性能 1、纯净的（99.9……9%） 2、晶体结构 晶格—排列成点阵 共价键—共用一对价电子 三、载流子 自由电子和空穴成对出现，运动方向相反，均参与导电。 第一章 常用半导体器件 * 1、自由电子：脱离共价键束缚的 价电子 2、空穴：失去价电子的共价键 四、载流子浓度 第一章 常用半导体器件 1、热动态平衡 自由电子和空穴成对产生和成对消失— 激发和复合 在某个温度下电子空穴对浓度维持一定— 热动态平衡 * 2、载流子浓度 ni = pi = K1T 3/2 e-EGO / (2kT) 在常温T=300K时： ni = pi =1.43×1010cm-3 (硅材料) ni = pi =2.38×1013cm-3 (锗材料) 五、杂质半导体 多子— 掺杂形成、可控、与温度无关 少子—热激发产生、不可控、对温度非常灵敏 N型与P型制作在一起 将产生什么现象？ N：Negative P：Positive 第一章 常用半导体器件 * 1、N型（电子）半导体 本征半导体中渗入少量五价元素杂质，如磷、砷、锑 2、P型（空穴）半导体 本征半导体中渗入少量三价元素杂质，如硼、铝、锢 六、PN结 A、扩散运动 B、漂移运动 由浓度差引起多子扩散， 形成空间电荷区，阻碍 扩散运动。 由内电场引起少子漂移， 完成动态平衡，形成PN结。 耗尽层 第一