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第四章集成电路芯片制造技术 4.6薄膜制备技术 一、PVD原理 PVD，物理气相淀积是以物理的方式（进行薄膜淀积的一种技术。 物质形态发生变化； 气相：气态物质冷凝淀积 一般用于金属薄膜的欧姆接触、互连、栅电极、肖特基二极管等方面。 淀积速率快，金属薄膜 二、PVD分类 蒸发 热丝真空蒸发 电子束蒸发 溅射 直流溅射 射频溅射 磁控溅射 准直溅射 偏置溅射 真空镀膜机结构 真空蒸发的特点 优点： 结构简单，价廉易作，操作方便，蒸发速率快。 缺点： 1）无法实现高于加热器熔点的难熔物质的蒸发； 2）直接接触形成合金，加热器需常更换； 3）单方向蒸发，易在台阶处断条； 4）Na+离子沾污严重 PVD方法----电子束蒸发 原理 利用高能电子束轰击蒸发源使之熔化并蒸发在器件表面。 主要有： 电子束动能转换热能； 控制电子束的能量控制加热的温度； 磁场控制电子束的偏转； 各部分的作用 　 阴极灯丝被加热，发射电子，被加速阳极加速，且由于屏蔽极和反射极的作用，它只能沿着一个方向飞行，另外因为磁场的作用，飞行时是圆周运动。 　 另外还要有水冷装置。 电子束蒸发的特点 优点： 　　钨丝蒸发相比淀积的膜纯度高，也比较致密，可移动离子的沾污少，厚度均匀，加热温度无限制，光刻与刻蚀比较方便，应用广，是蒸发的主要方式。 缺点： （1）与衬底附着力小，重复性不好，不能产生均匀的台阶覆盖； （2）较难实现合金的淀积。 PVD方法----溅射 基本原理 利用等离子体中高能粒子（Ar+）对被溅射材料（靶电极）吸引产生轰击作用，将靶材表面原子撞出，被溅射的原子再沉积硅片表面凝结成膜。 实质 带正电的氩离子受靶电极负电位的吸引。 溅射的优点 （1）可以在大尺寸硅片上淀积均匀的铝膜，有较好的粘附性； （2）膜厚容易控制，只与时间有关。 （3）具有淀积和保持复杂合金原组分的能力；更容易控制。 （4）改变硅片上的偏压和温度，就可以控制薄膜的很多性能。 （5）溅射之前进行预溅射，膜的质量更好。 （6）低温，可以淀积高温难熔的金属； （7）多功能集成：刻蚀、淀积、清洗。 溅射的步骤 （1）产生离子并导向一个靶 （2）离子把靶面上的原子轰击出来 （3）被轰击出的原子向硅片表面运动 （4）在硅片表面这些原子形成薄膜。 辉光放电 含义 玻璃管中充满氩气，并且有两个电极。如果玻璃管中进入一个电子，电子被电场加速，就会与氩气相碰撞，把氩原子中的电子激发出来，被激发出的电子跃迁到更高的能 级上，然后返回基态就会释放出可见光，称为辉光放电。 溅射系统----直流溅射 含义 direct current sputtering，两个电极板之间加上直流电，产生等离子体的溅射方法。 特点 简单，效率低，膜沾污多，不能实现非金属材料的溅射，因此不适于集成电路制造工艺。 射频溅射 含义 radio frequency sputtering，两个电极板之间加上交流电，产生等离子体的溅射方法。 特点 等离子体场由RF射频电场支持，由于在高频电场中（典型13.56MHz），电子反应剧烈，会大量附着在溅射靶电极上，使靶显负性，能够吸引氩离子并产生溅射。适于各种材料的溅射。 磁控溅射（一） 含义 magnetron sputtering，它是在靶的周围安置了磁体，利用磁场来增加离子的离化率和在靶上的轰击率，从而提高溅射产额和淀积速度的一种溅射方法。 过程 电子开始时，沿着垂直于靶面的方向被电场加速而离开靶面，同时又受到F = qνB的磁场力作用，因此电子运动方向会垂直于靶面方向。 若磁场足够强，电子离开磁场之前，作圆周运动，又返回靶面。这样，二次电子在电场和磁场 的作用下，沿类似摆线运动方向与氩原子碰撞。 磁控溅射（二） 特点 （1） 溅射过程没有钠离子的沾污； （2）可以溅射各种合金和难熔金属，溅射金属时可以避免淀积层合金组分的偏离； （3） 溅射时衬底不加热，设备中的两次电子的陷阱避免了二次电子造成的损伤； （4）可以设置独立的溅射电源 ，同时溅射不同的金属形成合金膜； （5）离化率很快，台阶覆盖率和膜的均匀性较好，是目前最主要的溅射方法。 磁控溅射设备 准直溅射 含义 collimation sputtering，在溅射设备中对溅落的金属原子运行方向采取了准直措施，称为准直溅射。 特点 可以实现在比较深的沟槽中也能形成与表面一样厚度均匀的薄膜 偏置溅射 离子化的PVD，IMP