[信息与通信]霍尔传感器.ppt

第5章 霍尔传感器 本章主要学习霍尔传感器 的工作原理、霍尔元件的主要技术指标、霍尔集成电路的特性、霍尔传感器在检测技术中的应用。 5.1 霍尔元件的结构及工作原理 5.1.1 霍尔效应: 霍尔发现，如果对位于磁场(B)中的导体施加一个电压(V)，该磁场的方向垂直于所施加电压的方向，那么则在既与磁场垂直又和所施加电流方向垂直的方向上会产生另一个电压(EH)，人们将这个电压叫做霍尔电压，产生这种现象被称为霍尔效应。 霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，在半导体薄片C、D方向的端面之间建立起霍尔电势EH。 5.1.2 霍尔传感器原理： 产生霍尔效应原因是根据电磁感应定律，电子在磁场中以速度v运动时，受到洛伦兹力fL； fL与电子的电菏量e、运动速度v及磁场强度B成正比； fL=evB；电荷在fL的作用下向一侧偏移，在半导体薄片C、D端面间形成感应电动势EH . 5.1.2 霍尔传感器原理： 感应电动势EH在半导体膜片上形成一电场，根据电磁感应定律，电荷在电场中要受到电场力fE ， fE 与电荷电量的多少、 EH大小及两电极间距有关。 fE =e EH /b 5.1.2 霍尔传感器原理： 随着感应电动势EH的增加， fE不断增加，最终fL与fE半达到某一平衡值，即： fL +fE =0 设通过半导体的电流I为: I=-envbd 5.1 霍尔元件的结构及工作原理 5.1.3 霍尔元件材料: 5.1 霍尔元件的结构及工作原理 5.1.3 霍尔元件材料: 磁感应强度B较大时的情况,作用在半导体薄片上的磁场强度B越强，霍尔电势也就越高。EH=SH IB 5.1 霍尔元件的结构及工作原理 磁感应强度B较小时的情况,作用在半导体薄片上的磁场强度B越小，霍尔电势也就越低。EH=SHIB 若磁感应强度B不垂直于霍尔元件，而是与其法线成某一角度? 时，实际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向（与薄片垂直的方向）的分量，即Bcos?，这时的霍尔电势为: 5.2 霍尔元件的主要技术指标 5.2.1 最大磁感应强度BM 5.2霍尔元件的主要技术指标 5.2.2 额定激励电流IH : 5.2霍尔元件的主要技术指标 5.2.3 输入电阻Ri : 5.2霍尔元件的主要技术指标 5.2.6 寄生直流电势V0: 5.3 霍尔传感器集成电路 霍尔集成电路可分为线性型和开关型两大类。 5.3.1 线性型霍尔传感器特性 右图示出了具有双端差动输出特性的线性霍尔器件的输出特性曲线。当磁场为零时，它的输出电压等于零；当感受的磁场为正向（磁钢的S极对准霍尔器件的正面）时， 输出为正；磁场反向时，输出为负。 5.3.2、开关型霍尔传感器集成电路 开关型霍尔集成电路是将霍尔元件、稳压电路、放大器、施密特触发器、OC门（集电极开路输出门）等电路做在同一个芯片上。当外加磁场强度超过规定的工作点时，OC门由高阻态变为导通状态，输出变为低电平；当外加磁场强度低于释放点时，OC门重新变为高阻态，输出高电平。较典型的开关型霍尔器件如UGN3020等。 5.3.2、开关型霍尔传感器集成电路 5.3.2、开关型霍尔传感器集成电路 请按以下电路，将下一页中的有关元件连接起来. 开关型霍尔集成电路与继电器的接线 开关型霍尔集成电路的史密特输出特性 回差越大，抗振动干扰能力就越强。 5.4 霍尔传感器的应用 霍尔电势是关于I、B、? 三个变量的函数，即 EH=SHIBcos? 。利用这个关系可以使其中两个量不变，将第三个量作为变量，或者固定其中一个量，其余两个量都作为变量。这使得霍尔传感器有许多用途。 5.4 霍尔传感器的应用 讫今为止，已在现代汽车上广泛应用的霍尔器件有： 分电器