[工学]11 静电场中的电介质2A.pptVIP

定义(引入)电位移矢量： D 的高斯定理： 通过任意封闭曲面的电位移矢量的通量，等于该封闭面所包围的自由电荷的代数和，与极化电荷无关 所以，D的分布一般也和束缚电荷有关。 因为 ,其中E是所有电荷共同产生的，P 与束缚电荷有关。 各向同性、线性介质 D、E、P 的关系 * 有介质时D的通量与闭合面内自由电荷的关系 理论地位：描述场的性质，有源无旋 不仅适用于介质，也适用于真空。 高斯面上任一点D是由空间总的电荷的分布决定的，不能认为只与面内自由电荷有关 可以用来计算某些场分布（由对称性决定） 利用D- Gauss定理按以下路径求 有电介质时电场、束缚电荷的计算 ? ? ? ? * 电位移线及其特点： 电位移线——有方向曲线，它满足（1）其切向就是电位移的方向，（2）其密度等于电位移的大小。 电位移通量—穿过某一曲面的电位移线条数。 由电介质中的高斯定理，我们可以知道：电位移线总是起始于自由正电荷终止于自由的负电荷。 * 的比较 定义： 单位： 通量： 场线： * 例1 求相对介电常数为?r的无限大均匀电介质中点电荷q的场分布 用D-Gauss定理，球对称场，作球形Gauss面 介质内场强削弱了 倍 * 例2：两块靠近的平行金属板间距为 d , 极板面积为 S，面电荷密度分别为 ?0 和-?0, 其间 插有厚度为 d’ 、电容率为 ?r 的电介质。求 ： ①. P1 、P2点的场强E；②.两金属板间电势差 * 解： ①. 过 P1 点作高斯柱面, 左右底面分别经过导体和 P1 点。 高斯面 导体内 D=0 * 过P2点作高斯柱面, 左右底面分别经过导体和P2点。 高斯面 * I区： II区： ②.电势差U * 例3 把一块相对电容率?r =3的电介质，放在相距d=1 mm的两平行带电平板之间. 放入之前，两板的电势差是1 000 V . 试求两板间电介质内的电场强度E ，电极化强度P ，板和电介质 的电荷面密度， 电介质内的电位 移D. d + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - U * 解 d + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - U ?r =3， d=1 mm， U=1 000 V * d + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - U ?r =3， d=1 mm， U=1 000 V - - - - - - + + + + + + 例5 * 成立的条件：均匀电介质充满场不为零的空间。或电介质分区充满电场空间，且分界面都是等势面。 例1 例3 例2 a b c Q ?r 例4 * 例4 图中是由半径为R1的长直圆柱导体和同轴的半径为R2的薄导体圆筒组成，其间充以相对电容率为?r的电介质. 设直导体和圆筒单位长度上的电荷分别为+?和- ?. 求(1)电介质中的电场强度、电位移和极化强度； (2)电介质内外表面的极化电荷面密度. * 解 (1) r * (2) r * 例 5 一半径为a的导体球, 被围在内半径为b、外半径为c，相对介电系数为?r 的介质同心球壳内，若导体球带电荷量为Q， 求 D(r)，E (r)和导体表面 电势. a b c Q ?r 作业：37、38、39、42 * 解 a b c Q ?r * a b c Q ?r * a b c Q ?r * 带静电的梳子为什么能吸引水柱？ 15-1 电介质对电场影响 物理学 第五版 15-2电介质极化 物理学 第五版 15-3电介质中高斯定理 物理学 第五版 物理学 第五版 * 依电荷在物质中移动的难易程度，将物质分为 1.导体： 电阻率10-8-10-6之间 金属导体中存在着大量的自由电子 2.绝缘体(电介质)：电阻率106-1018之间 理想电介质是良好的绝缘体，内部无自由电子,具有束缚电荷 * 物质具有电结构 当物质处于静电场中 场对物质的作用：对物质中带电粒子作用 物质对场的响应：物质中的带电粒子对电场力的作用的响应 带电粒子重新分布后，使周围空间的电场发生变化。 * 导体、半导体和绝缘体有着不同的电结构 不同的物质会对电场作出不同的响应，产生不同的后果，——在静电场中具有各自的特性。 导体中存在着大量的自由电子——静电感应 绝