NPGS电子束曝光系统电子束微影光刻系统介绍JCNabity.PDFVIP

NPGS 电子束曝光系统（电子束微影光刻系统）介绍 JC Nabity Lithography Systems 在过去的几年中，半导体器件和 IC 生产等微电子技术已发展到深亚微米阶段及纳米阶段。为了追求 晶片更高的运算速度与更高的效能，三十多年来，半导体产业遵循著摩尔定律 （Moore’s Law ）：每十八个 月单一晶片上电晶体的数量倍增，持续地朝微小化努力。为继续摩尔定律，在此期间，与微电子领域相关 的微/纳加工技术得到了飞速发展，科学家提出各种解决方案如：图形曝光（光刻）技术、材料刻蚀技术、 薄膜生成技术等。其中，图形曝光技术（微影术）是微电子制造技术发展的主要推动者，正是由于曝光图 形的分辨率和套刻精度的不断提高，促使集成电路集成度不断提高和制备成本持续降低。 电子束曝光系统（electron beam lithography, EBL，又称电子束暴光系统）是一种利用电子束在工件面 上扫描直接产生图形的装置。由于 SEM、STEM 及 FIB 的工作方式与电子束曝光机十分相近，美国 JC Nabity Lithography Systems 公司成功研发了基于改造商品 SEM、STEM 或 FIB 的电子束曝光装置（Nanometer Pattern Generation System 纳米图形发生系统，简称 NPGS ，又称电子束微影系统）。电子束曝光技术具有可 直接刻画精细图案的优点，且高能电子的波长短（ 1 nm ），可避免绕射效应的困扰，是实验室制作微小纳 米电子元件最佳的选择。相对于购买昂贵的专用电子束曝光机台，以既有的 SEM 等为基础，外加电子束 控制系统，透过电脑介面控制电子显微镜中电子束之矢量扫描，以进行直接刻画图案，在造价方面可大幅 节省，且兼具原 SEM 的观测功能，在功能与价格方面均具有优势。由于其具有高分辨率以及低成本等特 点，在北美研究机构中，JC Nabity 的NPGS 是最热销的配套于扫描电镜的电子束微影曝光系统，而且它的 应用在世界各地越来越广泛。 NPGS 的技术目标是提供一个功能强大的多样化简易操作系统，结合使用市面上已有的扫描电镜、扫 描透射电镜或聚焦离子束装置，用来实现艺术级的电子束或离子束平版印刷技术。NPGS 能成功满足这个 目的，得到了当前众多用户的强烈推荐和一致肯定。 SEM+NPGS 改装范例一 SEM+NPGS 改装范例二 一. 技术描述： 为满足纳米级电子束曝光系统的要求，JC Nabity 的NPGS 系统设计了一个纳米图形发生器和数模转 换电路，并采用 PC 机控制。PC 机通过图形发生器和数模转换电路去驱动 SEM 等仪器的扫描线圈，从而 使电子束偏转并控制束闸的通断。通过 NPGS 可以对标准样片进行图像采集以及扫描场的校正。配合精密 定位的工件台，还可以实现曝光场的拼接和套刻。利用配套软件也可以新建或导入多种通用格式的曝光图 形。 SEM+NPGS 系统原理图 SEM+NPGS 系统组成 NPGS 电子束微影曝光流程图之一 (一) 电子源（Electron Source ） 曝照所需电子束是由既有的 SEM、STEM 或 FIB 产生的电子束（离子束）提供。 (二) 电子束扫描控制（Beam Scanning Control ） 电子射出后，受数千乃至数万伏特之加速电压驱动沿显微镜中轴向下移动，并受中轴周围磁透镜 （magnetic lens ）作用形成聚焦电子束而对样本表面进行扫描与图案刻画。扫描方式可分为循序扫描（raster scan ）与矢量扫描（vector scan ）。 循序扫描是控制电子束在既定的扫描范围内进行逐点逐行的扫描，扫描的点距与行距由程式控制， 而当扫描到有微影图案的区域时，电子束开启进行曝光，而当扫描到无图案区域时，电子束被阻断；矢量 扫描则是直接将电子束移动到扫描范围内有图案的区域后开启电子束进行曝光，所需时间较少。 扫描过程中，电子束的开启与阻断是由电子束阻断器（beam blanker ）所控制。电子束阻断器通常安 装在磁透镜组上方，其功效为产生一大偏转磁场使电子束完全偏离中轴而无法到达样本。 (三) 阻剂（光阻，电子束光刻胶） 阻剂（resist ）是转移电子束曝照图案的媒介。阻剂通常是以薄膜形式均