[工学]超导材料.ppt

现代新型材料与纳米材料 New Materials and Nanometer-Materials（4） 材料科学与工程学院 刘颖教授主讲 超导技术与原子能技术、化学合成技术、半导体技术和激光器技术并称为20世纪五大科技发明。 超导材料的出现将人们带进一个前景十分广阔的新技术领域。 超导技术的应用将对科技、军事、经济乃至社会发展产生深远影响。 新能源开发、能量储存、交通工具更新、资源勘探、天气及地震预报、射电天文观察等都与超导结下了不解之缘。 超导材料的特性 导体在常温下具有一定导电能力，或者说有一定的电阻率。 1911年，荷兰物理学家昂纳斯发现超导体在特定温度以下会转变为完全没有电阻的状态（完全导电性）； 在零电阻性出现的同时这些物质还伴有完全抗磁性； 弱连接超导体中还发现了隧道效应； 完全导电性 昂纳斯用一个铅线制的闭合线圈，先加磁场，再降低温度；当温度下降到一定值，线圈进入超导态后，撤去磁场，在闭合线圈中激发一个感生电流。 若线圈有电阻，这个感生电流就会逐渐衰减。 在实验所用的液氦完全蒸发掉以前的二个多小时内，没有观察到电流的衰减， 得出的结论是：线圈在超导态时，其电阻的上限为它在0℃时电阻的0.2-0.3×10-10倍，几乎为零。 汞的电阻在4.2K到4.3K之间减小极快，并在4.19K基本完全消失，在1.5K电阻值小于十亿分之一欧。 汞在4.2K附近进入一个新的物态，电阻几乎为零。 当温度下降到某一临界温度时，超导体出现电阻突变为零的特性称为完全导电性，也叫零电阻效应。 超导体的零电阻与常导体的零电阻本质完全不同： 金属导体中有大量的自由电子，施加电压后形成电流。电子在运动中会受到阻尼散射，产生电阻。 电子的阻尼散射由两方面的因素造成： 固体原子热运动引起的散射，也叫声子阻尼散射； 杂质原子散射，杂质原子在固体中杂乱分布，破坏晶体场的周期性，并且杂质散射与温度无关； 低温下，原子热运动很小，当温度足够低时，金属电阻就仅有杂质电阻构成。 常导体的零电阻是指在没有缺陷、杂质的理想晶体中，在足够的低温下自由电子不受声子散射和杂质散射的影响，可以不受限制的运动。 超导体的零电阻是当温度下降到特定值时，电阻几乎是跃变至零的，此时导体中的电子受到散射的同时又吸收同样的能量，它们的总能量和动量没有受到损失，不需电场力做功来补充能量和动量的损失，所以没有电阻。 完全抗磁性 1933年，迈斯纳和奥森菲尔德对单晶锡球的磁场分布进行测量，发现不论是先降温后再加磁场，还是先加磁场后降温，只要锡球温度达到超导临界温度Tc，磁力线似乎被完全排斥到超导体之外。 只要T＜Tc，超导体内的磁感应强度总和为零，即超导体具有完全抗磁性。 超导体只要进入超导态，都会出现完全抗磁性，与初始条件无关。 完全抗磁性也称为迈斯纳效应。 完全抗磁性并不代表超导体中没有磁场。 在正常导体内，电流均匀分布; 在超导体内，电流只分布在超导体表面附近的薄层内，其它地方没有电流。这一薄层被磁场穿透，也叫穿透层或穿透深度，一般为10-6-10-8m。 在这深度以内，超导体内没有磁场。 根据右手定则，超导体下表面的电流在体内产生方向垂直于纸面由里指向外的磁场，上表面的电流在体内产生方向垂直于纸面由外指向里的磁场。 超导体表面层各电流都可像这样一对一对地分别在超导体内部产生大小相等、方向相反的磁场，综合作用使超导体内的总磁场强度为零，这就是超导体的完全抗磁效应。 超导隧道效应 20世纪60年代，英国物理学家约瑟夫森在弱连接超导体中发现了隧道效应。 所谓的弱连接超导体是在左右两块超导体(S1，S2)中间夹一块厚度为纳米级的绝缘膜(I)，形成新的超导体。 这种超导层-绝缘层-超导层(SIS)的结构类似于一块夹心层很薄的三明治。 由于绝缘层很薄，使两侧弱耦合在一起的超导体具有全新的超导特性。 约瑟夫森发现：电子可从一个超导体穿过绝缘薄膜层移到另一个超导体，在这个过程中测量不到电压。 这意味着超导体中间的绝缘层也像超导体一样，能让超导电流通过，整体呈现出零电阻特性； 如果电流超过出现这种结构所需的临界电流，就和正常导体一样，出现电压。 由于量子隧道的作用，可使电子通过两个超导金属中间极薄的绝缘势垒，这个效应被称为超导隧道效应或约瑟夫森效应，SIS结构被称为超导隧道结或约瑟夫森结。 约瑟夫森效应成为微弱电磁信号探测和超导电子学应用的基础。 超导体的临界条件 超导体具有三个临界条件 临界转变温度Tc 临界磁场强度Hc 临界转变电流Ic Tc是指使超导体从常态转变为超导态，电阻突然消失的温度：如Rh的Tc为0.0002K，Hg的Tc为4.2K，Nb的Tc为9.2K，Nb3Ge的Tc为23.1K。 Hc是指破坏超导体的超导态，使其转变为常导态的最小磁场强度。 处于超导态的物质，当外界磁