[理学]微机第三章.pptVIP

三、存储器的分类 除采用磁、光原理的辅存外，其它存储器主要都是采用半导体存储器 本章介绍采用半导体存储器及其组成主存的方法 一、半导体存储器的分类 二、半导体存储器的基本组成 12条地址线A11~A0, 8条数据线D7~D0 存储容量：212*8bit=4KB, 4K个单元 每个存储单元有相应地址，4KB容量的存储单元地址为000H~0FFFH 工作过程： A11~A0送来的地址存入地址寄存器，经地址译码器译码选中一个单元(eg. 001H:0000 0000 0001B)进行读写操作，I/O控制电路接收CPU的读写信号(CS*=0) 当WE*=1时，001H的数据送I/O7~I/O0 WE*=0时，I/O7~I/O0的数据送001H ③ 片选和读写控制逻辑 片选端CS*或CE* 有效时，可以对该芯片进行读写操作 输出OE* 控制读操作。有效时，芯片内数据输出 该控制端对应系统的读控制线 写WE* 控制写操作。有效时，数据进入芯片中 该控制端对应系统的写控制线 3.3 RAM的结构及其常用芯片 基本存储单元是触发器电路 每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵 二、常用RAM芯片 SRAM2114 存储容量为1K×4 18个引脚： 10根地址线A9～A0 4根数据线I/O4～I/O1 片选CS* 读写WE* SRAM6264 存储容量为8K×8 28个引脚： 13根地址线A12～A0 8根数据线D7～D0 片选CE1*、CE2 读写WE*、OE* 1. 掩膜ROM 2. EPROM 顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫外线透过擦除原有信息 一般使用专门的编程器（烧写器）进行编程 编程后，应该贴上不透光封条 出厂未编程前，每个基本存储单元都是信息1 编程就是将某些单元写入信息0 二、常用EPROM芯片 EPROM2716 存储容量为2K×8 24个引脚： 11根地址线A10～A0 8根数据线O7～O0 片选/编程CE*(编程时接50ms脉冲) 读写OE* 编程电压VPP(25V或21V) EPROM芯片2764 存储容量为8K×8 28个引脚： 13根地址线A12～A0 8根数据线O7～O0 片选CE* 编程PGM* 读写OE* 编程电压VPP EPROM芯片27256 3.5 存储器与CPU的连接 二、存储容量的扩展(一片ROM、RAM不够时) A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12～A0 8K*8=64K 0 1 0 0 0 0 0 (40000 ～41FFF) 第一组 1 1 1 (4E000 ～4FFFF) 第八组 作业 3-4、3-5 (1) 线选法 直接用地址线作为片选信号，每条地址线选一个芯片，这种方法用在存储容量小，存储芯片也少的小系统中。 e.g. 存储容量为4KB，每个芯片1KB，只要4个芯片，对应片内1KB的容量，只要10位就可完成对存储单元的寻址。所以在20位地址线的系统(8086)中，可利用高10位地址线中的任意4位产生片选信号，比如选择A13~A10，每条线连接一个芯片的片选端即可。 缺点: 整个存储器地址常常不连续； 同一个单元可对应不同的地址，从而形成地址重叠。 例如，上述例子中，A19~A14这6条地址线没有用，所以当A19~A14为任何组合时，如果A13~A0的值不变，其实对应了同一个存储单元。 (2) 全译码法 所有的系统地址线均参与对存储单元的译码寻址 包括低位地址线对芯片内各存储单元的译码寻址（片内译码），高位地址线对存储芯片的译码寻址（片选译码） 采用全译码，每个存储单元的地址都是唯一的，不存在地址重复 译码电路可能比较复杂、连线也较多 存储器 芯片 译 码 器 低位地址 高位地址 全部地址 片选信号 e.g. P.57 图3-14 2732的存储容量为：4K*8bit。连接到8086系统时，构成4K*16bit，需两片。 全译码方式下由8个2764芯片构成64KB的存储器 只有部分（高位）地址线参与对存储芯片的译码 每个存储单元将对应多个地址（地址重复），需要选取一个可用地址 可简化译码电路的设计 但系统的部分地址空间将被浪费 (3) 部分译码法 D0~D7 A0 A12 ? ? ? WE OE CS1 CS2 ? ? ? A0 A12 MEMW MEMR D0~D7 G1 G2A G2B C B A A19 A14 A13 A17 A16 A15 +5V Y0 下图中A18不