[工学]微机原理与应用-08 存储器扩展.ppt

第8章 MCS-51的存储器扩展 主要内容 熟悉系统三总线的概念； 重点掌握程序存储器的扩展； 重点掌握外部数据存储器的扩展； 8.1 概述 在组成单片机应用系统时: 存储器的扩展：RAM、ROM I/O口的扩展。 8.2 系统总线及总线构造1. 系统总线 系统总线是计算机连接各部件的公共信号线，扩展是通过总线进行的。 2. 构造系统总线 三总线方式: 1. 以P0口线作为数据总线。 2.以P2口线作高位地址线 ；P0口经过锁存器作为低8位地址 。 3.控制信号线: ALE，PSEN，EA RD、WR信号。 P0口是分时复用地址/数据线，进行RAM扩展时必须利用“地址锁存器”将地址信号锁存起来 。 单片机扩展单片ROM 8.3 读写控制、地址分配和外部地址锁存器1. 存储器扩展的读写控制 MCS-51 外扩RAM RD == OE 读控制 WR == WE 写控制 MCS-51 外扩ROM PSEN == OE 读控制 2. 存储器地址分配 解决两个问题：片选连线、地址分配 方法: 线选法：高地址线作为片选信号，将高地址线和片选端（CE）直接相连; 译码法：采用译码电路对高地址进行译码，译码器的输出作为片选信号。 全译码：剩余的高位地址线全部参加译码，存储器地址空间不重叠 部分译码：剩余的部分高位地址线参加译码，存储器地址空间重叠 (1) 线选法 (2) 译码法 全译码 (3) 线选法与译码法比较 线选法选址 电路连接简单 地址空间利用率低 地址空间重叠严重 译码法选址 采用译码器电路 部分译码仍有重叠的地址空间 全译码地址空间利用率高，地址唯一 8.4 外部ROM的扩展 MCS-51访问外部ROM的控制信号: ALE：低8位地址锁存控制信号 PSEN：外部ROM“读取”控制信号 1. 常用EPROM芯片介绍 Intel典型芯片 2716 (2KB) 2732 (4KB) 2764 (8KB) 27128 (16KB) 27256 (32KB) 引脚 A0~A15:地址 D7~D0：数据 CE：片选 OE：读选通 EPROM的工作方式 2. 扩展电路实例 (2) 多片EPROM扩展 2. 典型的外RAM扩展电路 (2) 译码法 8.6 EPROM和RAM的综合扩展 线选法 地址分配 由硬件保证，不会产生数据冲突，ROM和RAM之间可以地址重叠 译码法 8.7 E2PROM的扩展 E2PROM用于单片机系统中，既可扩展为片外EPROM，也可扩展为片外RAM。 调试程序时，用E2PROM代替仿真EPROM，既可修改程序，又能保存调试好的程序。 与RAM芯片相比，E2PROM写操作速度是很慢的。 常用的E2PROM芯片有2816/2816A，2817/2817A，2864A等。 MCS-51扩展EEPROM为RAM MCS-51扩展E2PROM为RAM和ROM ATMEL 89C51 的片内闪烁存储器 E2PROM芯片的主要缺陷：擦除和写入时间较长（10ms），对许多实际应用不能接受。 将存储器集成到单片机内，缩短擦除和写入时间——片内闪烁存储器（Flash Memory） ATMEL公司推出片内带EPROM的87C51给应用带来极大的便利，但价格太高。 ATMEL公司又推出了带闪烁可编程/擦除只读存储器(Flash Programmable and Erasable Read Only Memory)的单片机：AT89C51、89C52、89C55。 ATMEL 89C51 的主要性能： (1)与MCS－51微控制器系列产品兼容。 (2)片内有4KB可在线重复编程的闪烁存储器 （Flash Memory）。 (3)存储器可循环写入/擦除1万次。 (4) 存储器数据保存时间为10年。 (5) 宽工作电压范围：Vcc可为+2.7V~+6V。 (6) 全静态工作:可从0Hz~16MHz。 (7) 程序存储器具有3级加密保护。 (8)空闲状态维持低功耗和掉电状态保存存储器内容。 (9)价格便宜，甚至低过8031。 使用片内带闪烁可编程/擦除只读存储器的系列单片机（AT89C51、89C52、89C55）省去了外扩ROM的工作，只需了解片内闪烁存储器的特性和如何编程即可。 对89C51片内闪烁存储器编程需在市场上购买相应的编程器，按照编程器的说明进行操作即可。 1. 常用的SRAM芯片 芯片 6116 (2KB) 6164 (8KB)