材料工学试验案.DOCVIP

19．薄膜の成長と電気伝導度測定 １．はじめに 物理機能性材料は電子デバイスに代表されるようにほとんどの場合多層膜化された素子として用いられる。すなわち、物理機能物質の薄膜化は最も重要な基本技術である。薄膜というものを理解するためには、薄膜特有の成長過程、構造評価、特性評価等の基礎を学ばなければならない。成長過程は、成長方法や基板と薄膜との相対関係（界面エネルギー等）によって変化し、特性も電極金属から超伝導体、絶縁体、磁性体、半導体と極めて多岐にわたる。しかしながら、基本的な考え方を修得することによってその応用は容易になる。 本実験では、非常に基本的な場合として、金の薄膜をスパッタ法によって作成し、その成長過程と電気特性との相関関係を考察することを目的とする。また、成長に伴う色や透過率の変化とその形態についても理解を深める。 ２．解 説 ２－１．薄膜成長のモデル 薄膜成長の過程は形態学的には、図１のように３つの型に分けられる。基板上に３次元的な粒子が形成され、それらが成長して連続な薄膜を形成するもの（Volmer-Wever型）、単原子層の島が成長して薄膜を形成する過程を1層1層繰り返すもの（Frank-Van der Merwe型）、単原子層の薄膜が形成されるがその上には３次元的な島成長が起こるもの（Stranski-Krastanw型）である。このような成長形態を決定する要因は一般的にエネルギー論的な立場から論じられている。薄膜及び基板の表面エネルギーをσfilm, σsub, 膜－基板間の凝集エネルギーをγとすると、この系における界面エネルギーσinterfaceは、 σinterface＝σfilm＋σsub－γ で表される。２σfilm ＞ γの場合、膜の表面エネルギーが高く、その表面を小さくするために熱平衡にちかい場合Wulffの多面体となり三次元成長（VM型）となる。２σfilm ＜ γの場合、基板の表面エネルギーが高いため表面を膜で被ってしまった方がエネルギーが低くなるので２次元的な成長（FM型及びSK型の第1層目の成長）となる。 今回の実験ではV-W成長する例としてガラス上の金薄膜を取り上げる。図１に示したように、３次元核が形成し、その合体によって島が形成する。この状態ではまだ連続膜になっていない。更なる成長によって、３次元島は合体し連続膜となる。この様な成長過程に伴う金属膜の電気伝導度の変化を考察することが今回の実験の目的である。 ２－２．スパッタリング法 今回の実験でつかうスパッタリング法は、極めて簡便に薄膜が得られる方法で、物理成膜の中でも真空蒸着法とならんで非常に一般的な薄膜成長法である。電極を配置した真空容器の中に不活性ガスを適度の圧力でいれる。電極間に生じる電場でAr等の不活性ガスをイオン化し（プラズマの発生）、そのイオンで電極材料をたたき出し（sputtering）、陽極上に成長させる方法である。原理としては、蛍光灯やネオンサインとよく似ている。酸化物膜を作成する場合、不活性ガス中に酸素を加えた反応性スパッタリングを行う。 今回の実験は、スパッタリングを簡単に行うために、真空容器中を小型油回転ポンプで減圧し、残留空気をイオン化しスパッタリングを行う。従って、金属膜の成長速度は容器内の真空度によって変化する。容器内の真空度は電極間に流れるイオン電流を測定することによって得ることが出来る（イオンゲージの基本原理）。今回の実験では、イオン電流が5-15 mAで安定した放電（プラズマ）が得られる。 ２－３．電気伝導度の測定 　電気伝導度??は物理機能の中でももっとも基本的な物性である。例えば、半導体の電気伝導度は測定温度の上昇に伴って増大するのに対し、金属の電気伝導はその逆の温度依存性を示す。抵抗率?（??電気伝導度?の逆数）の??= ?SV/Iで表される。実際には試料は有限の大きさを有するので、 となる。最後の因子F(t/S)は補正項で、探針間距離S(cm)が膜厚t(cm)に対して十分大きければ、１となる。ちなみt/S = 0.4の時に0.9995である。 注意事項 スパッタ装置のチャンバーをリークする場合は必ずメインバルブを閉じていることを確認すること（油回転ポンプに対して負担がかかりすぎる）。 抵抗測定時、電流を印加している時間は極力短くすること。試料が昇温して抵抗値が変化する。 ３．実　験 ３－１．実験方法 実験が始まる前に、電圧計、定電流電源、四探針測定架台との接続を行い、電源を入れておく。 A) 10 mm×10 mm程度の大きさに切ったスライドガラスを、アセトンを入れたガラスシャーレの中に入れ、水を入れた超音波洗浄器に浮かせて5分間超音波洗浄する。 B) シャーレを洗浄器から取り出し、ブ