频差叠纹法应用于晶圆表面形貌量测之开发.PDFVIP

頻差疊紋法應用於晶圓表面形貌量測之開發 黃堯暉 謝宏麟 國立台灣科技大學 國立台灣科技大學 mail.ntust.edu.tw hlhsieh@mail.ntust.edu.tw 關鍵字：疊紋、表面形貌、高轉速、頻差觸發技術 壹、前言 一、背景簡介 現今製作發光二極體(Light-emitting diode, LED)的製程技術主要以有機金屬化學氣 相沉積法(Metal-organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)為主，製程中透過加熱前 驅物(Precursor)使之汽化，並將其與反應氣體一同運送至反應腔體(Reactor)內進行化學反 應，而後於基板上進行吸附(Adsorption) 、表面反應(Surface kinetics)及薄膜成長(Growth) 等反應後形成薄膜，此過程亦稱磊晶(Epitaxy) 。然而，磊晶製程須處於高溫環境中，因而 存在熱應力的問題，且因晶圓基板與磊晶材質不同，晶格不匹配的問題亦將致使本質應力 的產生，上述情形皆會使晶圓發生翹曲變形之現象，此翹曲現象會影響磊晶的品質，大幅 降低產品的良率。為了抑制熱應力及本質應力[1]對製程品質所造成的影響，必須即時偵測 晶圓基板是否出現翹曲現象，當其表面形貌出現變化時，便可馬上反應至製程工程師處修 正製程參數，以降低殘留應力對 MOCVD 製程所造成之影響量，進而提高製程良率。因此， 如何精準且即時地量測磊晶製程中晶圓的翹曲值及其表面形貌，是一項極具重要性與發展 性的研究課題。 二、問題說明 (一) 目前應用於磊晶製程中，進行晶圓翹曲量測的技術多以單點掃描量測方式為主，此類 型的量測方式僅能量測出單一維度的晶圓剖面輪廓及翹曲值。然而，製程中各晶圓表 面存在受熱不均勻狀況，恐導致晶圓翹曲呈不對稱之現象，是故，若能直接量測出各 待測晶圓表面形貌之變化，將有助於製程參數的即時修正(如：修改特定位置的加熱器 溫度) 。 (二) 磊晶製程中，會因腔體內部之高溫產生熱應力及本質應力，此兩種應力將使晶圓出現 翹曲的情形，將嚴重影響製程的良率，因此，若能於製程中量測晶圓之翹曲情形，並 即時進行製程參數修正，將可進一步提升 MOCVD 製程之品質。 (三) MOCVD 腔體內部的晶圓載台於磊晶時處於 1500rpm 的高速迴轉情況下 ，若欲進行 即時晶圓翹曲量測，量測系統必須具備高速量測性能。 (四) 晶圓翹曲之變形量約為微奈米等級，量測系統必須具足夠的量測解析度方能精確地量 測出待測晶圓的翹曲量 。 三、本文解決方法 (一) 開發全域式的光路偵測架構 ，可同時進行多點偵測，能精準量測出待測晶圓翹曲值及 其三維表面形貌。 (二) 採用投影疊紋法及雷射準直儀之量測原理進行光路設計 ，系統可直接架設於待測物上 方或待測腔體外部 ，不會影響磊晶製程品質 ，亦可有效降低系統元件受腔體內部高溫 影響而造成量測誤差 。 (三) 開發創新的頻差觸發技術 ，量測系統可精準偵測高速旋轉載台上的待測晶圓翹曲值及 其表面形貌 。 (四) 以疊紋法為技術核心進行系統開發，量測解析度(可偵測的最小角度變化)優於 5 µrad ， 其相對應可判斷的高度差異約為 12.5 nm 。 四、創新所在 (一) 複合式光路設計：整合雷射準直儀及投影疊紋法的量測原理，透過複合式的光路設計 1 將一帶有光柵條紋訊息的平行準直量測光投射於待測物藍寶石晶圓基