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内存基础知识 什么是内存？ 内存（Memory）是主机上重要的部件之一，是CPU与其他设备沟通的桥梁，主要用来临时存放数据，并配合CPU工作，协调CPU的处理速度，从而提高整机的性能。 内存概述 内存也称主存或内存储器，按照内存的工作原理主要分为ROM和RAM两类： 内存的结构形式 内存一般采用内存条的结构，根据内存条的封装和插脚形式不同，可分为两大类： 内存条组成及结构 内存是由内存芯片、PCB板（印刷电路板）、电阻、电容等元件组成。 内存芯片又叫内存颗粒，它的质量好坏直接决定内存条的性能。 PCB板有四层与六层两种，内存芯片安装在该板上。若所有芯片在一边，称为单面条，否则称为双面条。 “金手指” 所谓多少“线”是指内存条与主板插接时有多少个接点，俗称“金手指”。 内存的分类 我们通常所说的内存就是指RAM，根据结构和工作原理 RAM又可分为两类：静态RAM（Static RAM ）和动态RAM（Dynamic RAM ）。 动态RAM 静态RAM 两者比较 内存数据存放形式 以队列方式进行组织 适合内存容量小，CPU速度比较慢的场合。 采用一维形式，地址作为一个整体。 以阵列方式进行组织 采用二维形式，地址有行、列地址两部分。 内存速度性能指标 时钟周期TCK CAS延迟时间（CL） CL=2，CL=3 存取时间（TAC） 内存总延迟时间 =TCK*CL+TAC CAS的延迟时间 这是纵向地址脉冲的反应时间,也是在一定频率下衡量支持不同规范内存的重要标志之一。比如现在大多数的SDRAM在外频为100MHz时都能运行于CAS Latency = 2或3的模式下，这时的读取数据的延迟时间可以是二个时钟周期也可以是三个时钟周期，若为二个时钟周期就会有更高的效能。 TAC TAC(Access time from CLK)是最大CAS延迟时的最大数输入时钟，PC 100规范要求在CL=3时TAC不大于6ns。某些内存编号的位数表示的是这个值。目前大多数SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8或10ns。 综合性能 关于总延迟时间的计算一般用这个公式: 总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+存取时间（TAC），比如某PC 100内存的存取时间为6ns，我们设定CL模式数为2（即CAS Latency=2），则总延迟时间=10ns×2+ 6ns= 26ns，这就是评价内存性能高低的重要数值。 常见内存种类 FPM DRAM EDO DRAM SDRAM DDR SDRAM RDRAM Flash Memory FPM(Fast Page Mode) FPM(快页模式)是较早的个人计算机普遍使用的内存，它每隔3个时钟脉冲周期传送一次数据。现在已很少见到使用这种内存的计算机系统了。 EDO(Extended Data Out) EDO(扩展数据输出)内存取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，每隔2个时钟脉冲周期传输一次数据，大大地缩短了存取时间，使存取速度提高30％，达到60ns。EDO内存主要用于72线的SIMM内存条，以及采用EDO内存芯片的PCI显示卡。 SDRAM(Synchronous DRAM) SDRAM(同步动态随机存储器)是目前奔腾计算机系统普遍使用的内存形式。SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与 EDO内存相比速度能提高50％。 DDR(Double Data Rage)SDRAM DDR SDRAM也就是 SDRAM II，是SDRAM的更新换代产品，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度，并具有比SDRAM多一倍的传输速率和内存带宽。 RDRAM(Rambus DRAM) RDRAM(存储器总线式动态随机存储器)是Rambus公司开发的具有系统带宽、芯片到芯片接口设计的新型DRAM，它能在很高的频率范围下通过一个简单的总线传输数据，同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。 Flash Memory Flash Memory(闪速存储器)是一种新型半导体存储器，主要特点是在不加电的情况下长期保持存储的信息。就其本质而言，Flash Memory属于EEPROM(电擦除可编程只读存储器)类型，既有ROM的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写，功耗很小。 Shadow RAM Shadow RAM也称为“影子内存”,是为了提高计算机系统效率而采用的一种专门技术，所使用的物理芯片仍然是CMOS DRAM(动态随机存取存储器)芯片。Shadow RAM的功能就是用来存放各种ROM BIOS的内容。也就是复制的ROM BIOS内容，因而又它称为ROM S