第7章光探测器3.pptVIP

7.2 PN型光电二极管 一、光电二极管的工作原理： 光生伏特效应； 光电二极管的工作特点； 7.2 PN型光电二极管 二、结构和封装 7.2 PN型光电二极管 7.2 PN型光电二极管 7.2 PN型光电二极管 三、特型： 1、光谱响应特性 硒管：可见光谱范围，峰值波长500nm附近。 硅管：400nm—1200nm，峰值波长800nm附近。 锗管：峰值波长1.4um左右。 7.2 光电二极管及光电三极管 2、频率响应： 3、暗电流； 100nA 4、结电容； pF 5、反向电压；（10~50V） 6、灵敏度 7.3PIN及APD光电二极管 内容： PIN光电二极管 雪崩（APD）光电二极管 光电探测电路 7.3PIN及APD光电二极管 一、PN结型光电二极管的缺点： 1、频响不高： 耗尽层上发生的光吸收产生漂移电流（快电流）； 中性层产生的电子空穴对，向耗尽层扩散（慢电流）。 7.3PIN及APD光电二极管 提高反向偏压能提高耗尽层厚度，减小结电容，快电流的速度加快，但是慢电流的速度提不高。 7.3PIN及APD光电二极管 2、PN结耗尽层只有几微米，大部分入射光被中性区吸收， 因而光电转换效率低，响应速度慢。 7.3PIN及APD光电二极管 二、PIN光电二极管的结构： 在P区和N区之间加入一层掺杂浓度很低的本征层（i层）； P ：positive I ：Intrinsic N ：negative 7.3PIN及APD光电二极管 7.3PIN及APD光电二极管 三、PIN光电二极管的特点： 1）明显较小了结电容，改善了频率特性，频率上限达GHZ。 2）本征层的电阻很高，有效减小了暗电流。 Si-PIN: 1nA; Ge-PIN:几百nA 7.3PIN及APD光电二极管 3）耗尽层显著加宽，量子效率提高，响应光谱展宽（长波的光谱特性改善）。 7.3PIN及APD光电二极管 四、异质结的PIN光电二极管 用于光纤通信中的接收机 7.3PIN及APD光电二极管 材料 Eg 截止波长 InP： 1.35ev 0.92um InGaAs: 0.75ev 1.65um In：铟 光纤的低损耗窗口： 850、1300、1550nm 7.3PIN及APD光电二极管 入射光在中性层不会产生扩散电流，只会在本征层产生漂移电流，频响非常高。 几百G。 7.3PIN及APD光电二极管 五、雪崩光电二极管（APD）的原理 PIN光电二极管即使在最大的响应度下,一个光子最多也只能产生一对电子-空穴对,是一种无内部增益的器件。 7.3PIN及APD光电二极管 借助强电场产生载流子倍增效应（雪崩倍增效应）的光电二极管。 Avalanche Photo Diode 7.3PIN及APD光电二极管 雪崩倍增效应： 载流子被强电场加速→ 晶格碰撞→ 晶体中的原子电离→ 新的电子空穴对（二次电子-空穴对） 7.3PIN及APD光电二极管 7.3PIN及APD光电二极管 六、APD的材料及结构 材料： Si：不适合制备1.31mm,1.55mm波长范围的器件 InGaAsP/InP ：适合光纤通信 7.3PIN及APD光电二极管 结构： 1、基本结构在PIN光电二极管的基础上，对P区和N区都进行重掺杂，在邻近P区或N区引进n型或p型倍增区。 7.3PIN及APD光电二极管 2、SAM—APD Separate Absorption and Multiplication 7.3PIN及APD光电二极管 SAM-APD管有四层结构： 1、高掺杂的N+型半导体，为接触层； 2、P型半导体，为倍增层（或称雪崩区）； 3、轻掺杂半导体I层，为漂移区（光吸收区）；使用低禁带宽度的材料InGaAs。 4、高掺杂的P+型半导体，为接触层。 7.3PIN及APD光电二极管 7.3PIN及APD光电二极管 雪崩过程倍增了一次光生电流，因此，在雪崩光电二极管内部就产生了电流放大作用。 7.3PIN及APD光电二极管 七、APD的特点： 1）方向偏压高，一般为200V，接近（小于）反向击穿电压。 2）灵敏度高，电流增益可达1000倍数量级。 7.3PIN及APD光电二极管 3）噪声高，材料的Eg越小噪声越大