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[信息与通信]集成电路工艺 热氧化薄膜技术
* * * 此处参照教材P107 * 确定氧化层厚度 确定等效的界面电荷密度Qss 3.4 二氧化硅层质量分析 热应力 SiO2(5×10-7K-1)与硅(2.6×10-6 K-1)的热膨胀系数不同,因此在结束氧化退出高温过程后会产生一定的热应力。对SiO2来说受到的是来自硅的压缩应力,这会导致硅片弯曲并产生缺陷,严重时氧化层发生破裂使硅片报废。所以,在加热或冷却过程中必须使硅片均匀受热,保持升温和降温速率不能太大。 3.4 二氧化硅层质量分析 二氧化硅膜缺陷检验 SiO2膜的缺陷有宏观缺陷和微观缺陷两种。所谓宏观缺陷是指用肉眼就可以直接观察到的缺陷。所谓微观缺陷是指必须借助于测试仪器方能观察到的缺陷。 宏观缺陷:又称表面缺陷。它是指:氧化层厚度不均匀、表面有斑点、氧化层上有针孔等等。 氧化层厚度不均匀:造成氧化层厚度不均匀的主要原因是氧化炉管内氧气或水汽不均匀。此外,氧化炉温不稳定、恒温区太短、水温变化不均匀等也都会造成氧化层厚度不均匀。这种不均匀现象,不仅影响了SiO2的掩蔽功能,也使得绝缘性变差,而且光刻工序也会出现钻蚀现象。 要想得到厚度均匀的氧化层,必须使恒温区长而稳定,石英舟必须严格控制在恒温区中间,对于气体流量、炉温、水温都要很好地控制。 3.4 二氧化硅层质量分析 氧化斑点:造成氧化层斑点的原因是硅片表面处理的不干净,残留一些玷污杂质颗粒,在高温下粘附在SiO2层表面,形成局部黑点。 解决方法是认真处理硅片表面,对石英管进行严格的清洗,严格控制水温合氧化流量。 氧化层针孔:针孔的产生与氧化方法有关。 一般来说热氧化产生的针孔较少,只有当硅片质量不好时(有严重的位错),扩散系数较大的杂质(如铜、铁等),在位错线处不太会很好地形成SiO2于是就形成针孔。 解决方法是严格选择衬底材料,氧化前进行严格的清洗。 3.4 二氧化硅层质量分析 显示针孔的方法 1,电学写真法-利用联苯胺的盐酸溶液在电化学作用后有无色液体变为蓝色产物 2,化学腐蚀法-利用对硅和二氧化硅腐蚀不同的腐蚀液进行选择腐蚀 3,自愈合击穿技术-涂极薄的金属铝,在MOS结构上加电压,使电容击穿 4,染色法-利用电解液,以铜做阳极,硅片做阴极 5,液晶探测真空-通过真空引起液晶分子的扰动 6,铝的氧化-只能显示有无针孔,对小针孔无能为力 3.4 二氧化硅层质量分析 微观缺陷:指的是钠离子玷污和热氧化层层错 钠离子玷污:主要来源于操作环境;去离子水及化学试剂;石英管道和气体系统。 另外在热氧化时,炉温很高,钠离子扩散系数很大,钠离子会穿过石英管壁进入二氧化硅层。采用双层,夹层中通惰性气体。 热氧化层错:含氧的气氛中,由表面和体内某些缺陷先构成层错的核,然后再高温下核运动家具,形成层错。原因:硅片表面机械损伤,离子注入的损伤点缺陷的凝聚,氧化物的淀积等。会造成杂质的局部堆积,形成扩散“管道”,造成电极间短路,严重影响器件的电学性能。 3.4 二氧化硅层质量分析 氧化诱生层错是热氧化产生的缺陷,它通常存在于Si/SiO2界面附近硅衬底一侧。 产生原因:氧化过程中产生硅自填隙点缺陷,这些点缺陷凝聚起来,在(111)面内形成层错。 减少层错的措施:a)磷、硼掺杂引入晶格失配缺陷作为点缺陷的吸收源;b)掺氯氧化可以吸收点缺陷,阻止点缺陷凝聚长大;c)采用高压氧化,从而减少氧化温度和时间;d)采用(111)硅片。 3.4 二氧化硅层质量分析 硅工艺技术的未来发展路线 第一个DRAM上市年份 1997 1999 2003 2006 2009 2012 最小特征尺寸(nm) 250 180 130 100 70 50 DRAM位/芯片 256M 1G 4G 16G 64G 256G 最小电源电压(V) 1.8-2.5 1.5-1.8 1.2-1.5 0.9-1.2 0.6-0.9 0.5-0.6 等效的栅氧化层厚度Tox(nm) 4-5 3-4 2-3 1.5-2 1.5 1 厚度控制3σ(%) ±4 ±4 ±4-6 ±4-8 ±4-8 ±4-8 等效的最大电场强度(MV cm-1) 4-5 5 5 5 5 5 栅氧化层漏电流(DRAM)(pAμm-2) 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 隧穿氧化层厚度(nm) 8.5 8 7.5 7 6.5 6 最多的布线层数 6 6-7 7 7-8 8-9 9 用于层间绝缘层的介电常数K 3-4.1 2.5-3 1.5-2 1.5-2 1.5 1.5 3.4 二氧化硅层质量分析 为了控制杂志扩散将更多使用低温工艺。 低温下生长厚SiO2膜的途径:1,在氧化期间使用高压;2,淀积氧化硅膜,首先要生长一层薄的热氧化硅,然后在其上淀积氧化硅,或在淀积氧化硅之后进行退火。 未来趋向于使用组合介质层,氮氧
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