[工学]2005 至 2010学 年 半导体期末试题本科生.doc

二 0 0 五 至 二 0 0六学 年 第 一 学期 一、选择填空（含多选题）（18分） 1、重空穴是指（ C ） A、质量较大的原子组成的半导体中的空穴 B、价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 C、价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴 D、自旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴 2、硅的晶格结构和能带结构分别是（ C ） A. 金刚石型和直接禁带型 B. 闪锌矿型和直接禁带型 C. 金刚石型和间接禁带型 D. 闪锌矿型和间接禁带型 3、电子在晶体中的共有化运动指的是电子在晶体（ C ）。 A、各处出现的几率相同 B、各处的相位相同 C、各元胞对应点出现的几率相同 D、各元胞对应点的相位相同 4、本征半导体是指（ A ）的半导体。 A、不含杂质与缺陷； B、电子密度与空穴密度相等； C、电阻率最高； C、电子密度与本征载流子密度相等。 5、简并半导体是指（ A ）的半导体 A、(EC-EF)或(EF-EV)≤0 B、(EC-EF)或(EF-EV)≥0 C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度 D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子 6、当Au掺入Si中时，它引入的杂质能级是（ A ）能级，在半导体中起的是（ C ）的作用；当B掺入Si中时，它引入的杂质能级是（ B ）能级，在半导体中起的是（ D ）的作用。 A、施主 B、受主 C、深 D、浅 7、在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3, 磷为1015 cm-3，则该半导体为（　B　）半导体；其有效杂质浓度约为（ E ）。 A. 本征， B. n型， C. p型， D. 1.1×1015cm-3, E. 9×1014cm-3 8、3个硅样品的掺杂情况如下： 甲．含镓1×1017cm-3；乙.含硼和磷各1×1017cm-3；丙.含铝1×1015cm-3 这三种样品在室温下的费米能级由低到高（以EV为基准）的顺序是( B )A.甲乙丙； B.甲丙乙； C.乙丙甲； D.丙甲乙 9、以长声学波为主要散射机构时，电子的迁移率μn与温度的（ B ）。A、平方成正比;B、3/2次方成反比；C.平方成反比; D、1/2次方成正比； 10、公式中的是载流子的（ C ）。 A、散射时间;B 、寿命；C、平均自由时间； D、扩散系数。 11、对大注入下的直接复合，非子寿命与平衡载流子浓度（ A ） A. 无关； B. 成正比； C. 成反比； D. 的平方成反比 12、欧姆接触是指（ D ）的金属－半导体接触。 A、Wms=0;B、Wms＜0;C、D、 证明：由于掺杂浓度不均匀，电离后空穴浓度也不均匀，形成扩散电流：,空穴向右扩散的结果，使得左边带负电，右边带正电，形成反x方向的自建电场E, 产生漂移电流：,稳定时两者之和为零，即：,而，有电场存在时，在各处产生附加势能－qV(x)，使得能带发生倾斜。在x处的价带顶为：EV(x)=EV-qV(x)，则x处的空穴浓度为：则： 故：, 三、简答题（28分） 试说明浅能级杂质和深能级杂质的物理意义及特点？（4分） 答：物理意义：在纯净的半导体中，掺入少量的其它元素杂质，对半导体的性能影响很大。由于杂质的存在，使得该处的周期性势场受到扰乱，因而杂质的电子不能处于正常的导带或价带中，而是在禁带中引入分裂能级，即杂质能级。根据杂质能级在禁带中的位置不同，分为深能级杂质和浅能级杂质。又根据杂质电离后施放的电子还是空穴，分为施主和受主两类。（2分） 特点：对于浅能级杂质，施主或受主能级离导带底或价带顶很近，电离能很小，在常温下，杂质基本全部电离，使得导带或价带增加电子或空穴，它的重要作用是改变半导体的导电类型和调节半导体的导电能力。对于深能级杂质，能级较深，电离能很大，对半导体的载流子浓度和导电类型没有显著的影响，但能提供有效的复合中心，可用于高速开关器件。（2分） 什么样的金半接触具有整流效应（考虑在n型和p型的情况）？(5分) 答：能形成阻挡层的金半接触才具有整流效应。（1分） 即金属和n型半导体接触时，若金属的功函数大于半导体的功函数，在半导体表面形成一个正的空间电荷区能带向上弯，是电子的势垒区，电子浓度比体内小得多，是个高阻区；（2分） 或者金属和p半导体接触时，若金属的功函数小半导体的功函数，在半导体表面形成负的空间电荷区，能带向下弯，是空穴的势垒区，空穴浓度比体内小得多，也是个高阻区。这样的接触具有整流效应。（2分） 3、什么是扩散长度、牵引长度？它们各由哪些因素决定？（4分） 答：扩散长度指的是非平衡载流子在复合