[工学]现代材料分析方法8-SIMS.pptVIP

二次离子质谱(SIMS)  Secondary Ion Mass Spectroscopy SIMS ? 引言 二次离子质谱是表征材料表面薄层化学成分的离子束分析技术。 载能离子束经过聚焦，入射到处在真空中的待分析样品表面，由于一次离子撞击时将动能转移给样品，引起表面的原子或分子溅射。溅射的粒子中有一部分带电荷的，即二次离子。利用质谱法分析溅射产生的二次离子，则可获取材料表面信息。 SIMS ? 引言 二次离子质谱可以分析： 包括氢在内的全部元素； 给出同位素的信息； 分析化合物组分和分子结构。 二次离子质谱具有很高的灵敏度，可达到ppm甚至ppb的量级，还可以进行微区成分成像和深度剖面分析 。 SIMS ? 引言 早在本世纪30年代，Arnot等人就研究了二次离子发射现象。1949年，Herzog和Viekbock首先把二次离子发射与质谱分析结合起来。六十年代，先后发展了离子探针和直接成像质量分析器。七十年代又提出和发展了静态二次离子质谱仪。这些二次离子质谱仪的性能不断改进，使之成为一种重要的、有特色的表面分析手段。 离子溅射 溅射：一定能量的离子束轰击固体表面引起表面的原子或分子射出。 入射粒子的能量必须超过受轰击材料表面的阈值。SIMS:1-20KeV。 溅射的粒子一般以中性为主，其中有一部分带有正、负电荷，这就是二次离子。 离子溅射 物理溅射：入射粒子将动能转移给靶原子使之出射的动力学过程。--多在中、高能量(keV--MeV)粒子轰击条件下发生。 化学溅射：入射粒子使靶表面发生化学反应，从而切断某些化学健使原子或原子团出射的化学过程。可延续到更低的能量范围，在电子伏特量级仍有显著的溅射效应。 离子溅射—电离及二次离子发射 溅射产额(sputtering yield):平均每个入射的一次离子所产生的溅射原子总数。 S=出射的总原子数/入射粒子总数 溅射时从表面射出的粒子可能是中性粒子或带有不同电荷—正离子(+)、负离子(-)、或多重电离。对于AxBy的化合物： S = {(A+)+(B+)+(A-)+(B-)+(A2+)+(B2+) +(A2-)+(B2-) +(A2+)+(B2+)+…+(An±P)+(Bn±P)+(A2B+) +(A2B-) +…+(AnBm±P)+(A0)+(B0)+ (AB0) +…+(A20)+ (A20)+ (AnBm0)}/Ip SIMS ?离子溅射与二次离子质谱 描述溅射现象的主要参数是溅射阈能和溅射产额。溅射阈能指的是开始出现溅射时，初级离子所需的能量。 溅射产额决定接收到的二次离子的多少，它与入射离子能量、入射角度、原子序数均有一定的关系，并与靶原子的原子序数晶格取向有关。 SIMS ?离子溅射与二次离子质谱 SIMS ?离子溅射与二次离子质谱 ?是入射方向与样品法向的夹角。 当? = 60o~ 70o时，溅射产额最大，但对不同的材料，增大情况不同。 SIMS ?离子溅射与二次离子质谱 SIMS ?离子溅射与二次离子质谱 图中是Ar+在400 eV时对一些元素的溅射产额，并给出了元素的升华热倒数，说明溅射产额与元素的升华热具有一定的联系。 SIMS ?离子溅射与二次离子质谱 SIMS ?离子溅射与二次离子质谱 SIMS ?离子溅射与二次离子质谱 SIMS ?离子溅射与二次离子质谱 SIMS ?基体效应 17种元素的二次离子产额 SIMS ?基体效应 17种元素的各种氧化物的二次离子产额 SIMS ??二次离子发射规律 基体效应 由于其他成分的存在，同一元素的二次离子产额会发生变化，这就是SIMS的“基体效应”。 清洁表面元素的正二次离子产额在10-5~10-2范围内。 表面覆氧后，离子产额增加2~3个量级。 SIMS ??二次离子发射规律 基体效应 SIMS ?离子溅射与二次离子质谱 SIMS ?离子溅射与二次离子质谱 SIMS ?离子溅射与二次离子质谱 在超高真空条件下，在清洁的纯Si表面通入20 L的氧气后得到的正、负离子谱，并忽略了同位素及多荷离子等成份。除了有硅、氧各自的谱峰外，还有SimOn? (m,n = 1, 2, 3……)原子团离子发射。应当指出，用氧离子作为入射离子或真空中有氧的成分均可观察到MemOn? (Me为金属) SIMS ?离子溅射与二次离子质谱 苯基丙氨酸在银基底上的二次离子谱。其中，可以看到(M+1)+峰，碎片离子峰，Ag峰及H+，H2O+峰。分子离子(或母离子)及碎片离子等峰给出了分子量、分子式和分子结构方面的信息。 SIMS ?