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7.2 气敏传感器

* * 7.2气 敏 传 感 器 7.2.1 概述 气敏传感器是用来检测气体类别、浓度和成分的传感器。 由于气体种类繁多, 性质各不相同,不可能用一种传感器检测所有类别的气体,因此,能实现气-电转换的传感器种类很多,按构成气敏传感器材料可分为半导体和非半导体两大类。目前实际使用最多的是半导体气敏传感器。 半导体气敏传感器是利用待测气体与半导体表面接触时, 产生的电导率等物理性质变化来检测气体的。 按照半导体与气体相互作用时产生的变化只限于半导体表面或深入到半导体内部,可分为表面控制型和体控制型。前者半导体表面吸附的气体与半导体间发生电子接受,结果使半导体的电导率等物理性质发生变化,但内部化学组成不变;后者半导体与气体的反应,使半导体内部组成发生变化,而使电导率变化。 按照半导体变化的物理特性,又可分为电阻型和非电阻型。电阻型半导体气敏元件是利用敏感材料接触气体时,其阻值变化来检测气体的成分或浓度; 非电阻型半导体气敏元件是利用其它参数,如二极管伏安特性和场效应晶体管的阈值电压变化来检测被测气体的。 表为半导体气敏元件的分类。 半导体气敏元件的分类 气敏传感器是暴露在各种成分的气体中使用的,由于检测现场温度、湿度的变化很大,又存在大量粉尘和油雾等,所以其工作条件较恶劣,而且气体对传感元件的材料会产生化学反应物,附着在元件表面,往往会使其性能变差。因此,对气敏元件有下列要求:能长期稳定工作,重复性好,响应速度快, 共存物质产生的影响小等。用半导体气敏元件组成的气敏传感器主要用于工业上的天然气、煤气,石油化工等部门的易燃、 易爆、有毒等有害气体的监测、预报和自动控制。 7.2.2 半导体气敏传感器的机理 半导体气敏传感器是利用气体在半导体表面的氧化和还原反应导致敏感元件阻值变化而制成的。当半导体器件被加热到稳定状态,在气体接触半导体表面而被吸附时,被吸附的分子首先在表面物性自由扩散,失去运动能量,一部分分子被蒸发掉,另一部分残留分子产生热分解而固定在吸附处(化学吸附)。当半导体的功函数小于吸附分子的亲和力(气体的吸附和渗透特性)时, 吸附分子将从器件夺得电子而变成负离子吸附, 半导体表面呈现电荷层。例如氧气等具有负离子吸附倾向的气体被称为氧化型气体或电子接收性气体。如果半导体的功函数大于吸附分子的离解能,吸附分子将向器件释放出电子,而形成正离子吸附。具有正离子吸附倾向的气体有H2、CO、碳氢化合物和醇类,它们被称为还原型气体或电子供给性气体。 当氧化型气体吸附到N型半导体上,还原型气体吸附到P型半导体上时,将使半导体载流子减少,而使电阻值增大。当还原型气体吸附到N型半导体上,氧化型气体吸附到P型半导体上时,则载流子增多,使半导体电阻值下降。图表示了气体接触N型半导体时所产生的器件阻值变化情况。由于空气中的含氧量大体上是恒定的, 因此氧的吸附量也是恒定的,器件阻值也相对固定。若气体浓度发生变化,其阻值也将变化。根据这一特性,可以从阻值的变化得知吸附气体的种类和浓度。半导体气敏时间(响应时间)一般不超过1min。N型材料有SnO2、ZnO、TiO等,P型材料有MoO2、CrO3等。 N型半导体吸附气体时器件阻值变化图 7.2.3 半导体气敏传感器类型及结构 1. 电阻型半导体气敏传感器 气敏半导体传感器的器件结构 (a) 烧结型气敏器件; (b) 薄膜型器件; 气敏半导体传感器的器件结构 (c) 厚膜型器件 图 (a)为烧结型气敏器件。这类器件以SnO2半导体材料为基体,将铂电极和加热丝埋入SnO2材料中,用加热、加压、温度为700~900℃的制陶工艺烧结成形。因此,被称为半导体陶瓷, 简称半导瓷。半导瓷内的晶粒直径为1μm左右,晶粒的大小对电阻有一定影响,但对气体检测灵敏度则无很大的影响。烧结型器件制作方法简单,器件寿命长;但由于烧结不充分,器件机械强度不高,电极材料较贵重,电性能一致性较差,因此应用受到一定限制。 图 (b)为薄膜型器件。它采用蒸发或溅射工艺,在石英基片上形成氧化物半导体薄膜(其厚度约在100nm以下),制作方法也很简单。 实验证明,SnO2半导体薄膜的气敏特性最好, 但这种半导体薄膜为物理性附着,因此器件间性能差异较大。 图 (c)为厚膜型器件。这种器件是将氧化物半导体材料与硅凝胶混合制成能印刷的厚膜胶,再把厚膜胶印刷到装有电极的绝缘基片上,经烧结制成的。由于这种工艺制成的元件机械强度高,离散度小,适合大批量生产。 这些器件全部附有加热器,它的作用是将附着在敏感元件

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