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soiex03.in：部分亦或全耗尽SOI - 漏电流分析 要求：SPISCES?最低版本：阿特拉斯5.16.3.R 这个例子模拟在高漏偏压，这个值可以如何作为设计参数提取的漏电流。分析是两个完全耗尽和部分耗尽SOI MOSFET的重复。它表明： 使用Atlas语法基本SOI结构的定义? DeckBuild中的语法定义的一般结构尺寸? 设置传输模式，包括碰撞电离? 生成一个ID / VDS VGS = 0.0V曲线? 漏电流设计参数提取? 绘图输出曲线和结构 SOI MOSFET的漏电流在过去被视为其发展的一个障碍。该电流源，在某些情况下，由于在底部的氧化硅界面的界面电荷存在。这个例子模拟两个部分和全耗尽SOI MOSFET的漏电流分析。 在这个例子中，而不是为同甘共苦SOI薄膜两个阿特拉斯输入文件使用，更通用的输入文件已创建。通过使用DeckBuild中?集的命令，它可以创建输入文件里面的变量。这些变量可以被用来定义网格线或区域边界的位置。 在这个例子中，已经有三个输入文件的修改。?已被修改y.mesh定义使用创建的变量定义y的网格线的位置，并以类似的方式，该地区的?声明也被改为使用这些变量来定义区域边界。接口费，同时在顶部和底部的接口定义的?接口声明。在SOI MOSFET的，这两个接口可以有非常不同的界面电荷值，如这个例子所示。再次，已预定义变量用于定义存在收费的地区。 由于速度过冲的能量平衡模型，和外地的碰撞电离效应，这可能会大大影响设备的特点，应该是亚微米器件模拟。在的模型hcte语句用于设置电子和空穴的能量平衡的解决方案。接下来，影响语句是用来指定要使用的Selberherr碰撞电离模型。碰撞电离在SOI器件是一个重要的现象，即使在相对 ??较低的电压。影响模型需要这种SOI ID / VDS分析。 余下的ATLAS语法和方法是根据soiex01.in，并有可能会发现它的描述。 加载和运行这个例子，选择的负载例如在DeckBuild中的按钮。这将复制输入文件到当前工作目录和任何支持文件。选择运行按钮来执行的例子。这个例子已初步建立了模拟厚膜部分耗尽晶体管。来模拟薄膜全耗尽晶体管的情况下，需要改变SET语句 设置SIMID = 0.05?组sibot = 0.1?集oxbot = 0.5 例子再次执行。 go atlas # # Define deckbuild variables set simid=0.2 set sibot=0.4 set oxbot=1.0 # TITLE SOI device simulation # SILVACO International 1992, 1993, 1994, 1995, 1996 # # 0.4um of silicon on 0.6um oxide substrate # mesh space.mult=1.5 # x.mesh loc=0.00 spac=0.250 x.mesh loc=1.15 spac=0.02 x.mesh loc=1.5 spac=0.05 x.mesh loc=1.85 spac=0.02 x.mesh loc=3 spac=0.25 # y.mesh loc=-0.017 spac=0.25 y.mesh loc=0.00 spac=0.0025 y.mesh loc=$simid spac=0.02 y.mesh loc=$sibot spac=0.005 y.mesh loc=$oxbot spac=0.1 # region num=1 y.max=0 oxide region num=2 y.min=0 y.max=$sibot silicon region num=3 y.min=$sibot oxide # #*********** define the electrodes ************ # #1-GATE #2-SOURCE #3-DRAIN #4-SUBSTRATE(below oxide) # electrode name=gate x.min=1 x.max=2 y.min=-0.017 y.max=-0.017 electrode name=source x.max=0.5 y.min=0 y.max=0 electrode name=drain x.min=2.5 y.min=0 y.max=0 electrode substrate # #*********** define the doping concentrations ***** # doping unif