[小学教育]扩散.pptVIP

(1) 气态源： AsH3，PH3，B2H6 (2) 固态源： 四、扩散工艺和设备 1、目前的扩散工艺已基本被离子注入取代，只有在进行重掺 杂时还用扩散工艺进行。 2、 扩散工艺的分类主要取决于杂质源的形态，常见的杂质源 形态包括： 单磷酸铵 (NH4H2PO4) 砷酸铝 (AlAsO4) 硼源：BBr3(沸点90℃) 磷源：POCl3(沸点107℃) (3) 液态源 * 第二章 扩散工艺 (Diffusion process) ■ 概述 ■ 扩散原理(模型与公式) ■ 实际扩散分布的分析 ■ 扩散工艺和设备 ■ 扩散工艺质量检测 扩散工艺(Diffusion process) 参考资料： 《微电子制造科学原理与工程技术》第3章扩散 (电子讲稿中出现的图号是该书中的图号) ■ 在lC制造中主要采用扩散法和离子注入法。 ■ 高浓度深结掺杂采用热扩散法，浅结高精度掺杂用离子注入法。 一、概述 1、掺杂和扩散 1）掺杂 ( Doping) 用人为的方法将所需杂质按要求的浓度和分布掺入到半导体 材料中，达到改变材料的电学性质、形成半导体器件结构的 目的，称之为“ 掺杂 。 2）掺杂的方法 合金法、扩散法、离子注入法。 3）常用的掺杂杂质 P (磷)、B(硼)、 As(砷)、Sb(锑) 3）形成MOSFET中的漏区和源区 2、扩散