[工学]东南大学半导体器件原理与工艺1.pptVIP

多晶硅的氧化 未掺杂多晶硅的氧化 氧化层的缺陷 表面缺陷： 斑点、白雾、发花、裂纹 体内缺陷： 针孔、氧化层错 氧化诱生堆垛层错 氧化过程?产生自填隙硅原子?集中并延伸?OSF * * * 热氧化原理 反应方程： Si(固体)+O2(气体)?SiO2 Deal-Grove 模型 Deal-Grove 模型 tsl :Boundary layer thickness k: Boltzmann constant Pg : Partial pressure of O2 hg: mass transfer caefficient tox : oxide thickness 留在大气层中的气流 第二个流量: 第三个流量: J3 = ksCi J1= J2 = J3 Deal-Grove 模型 利用Henry定律 Co=H ? Ps =H ? (kT ? Cs) Henry常数 Deal-Grove 模型 界面流量除以单位体积SiO2的氧分子数, 得到生长速率: 初始氧化层厚度为t0 Linear and Parabolic Rate Coefficients (B/A : linear rate coeff ) (B=parabolic rate coeff ) 氧化层足够薄时: 氧化层足够厚时: 热氧化 热氧化 含Cl氧化 氧化过程中加入少量的HCl 或TCE(三氯乙烯) 减少金属沾污 改进Si/SiO2界面性能 Cl对氧化速率的影响 初始阶段的氧化 Deal-Grove模型严重低估了薄氧化层厚度 多种模型解释薄氧化特性 表面电场 薄氧层微孔 应力 氧在氧化层中的溶解度增加 氧化中消耗硅的厚度 硅表面形貌对Xi的影响 热氧化的影响因素 温度 气氛（干氧、水汽、HCl） 压力 晶向 掺杂 高压氧化 对给定的氧化速率，压力增加，温度可降低 温度不变的情况下，氧化时间可缩短 高掺杂效应 900oC下干氧速率是掺杂浓度的函数 晶向的影响 氧化界面的TEM图 SiO2结构 以掺入P5+为例： P5+通常是以P2O5的形式进入SiO2网络，P将替代Si的位置，形成P-O四面体。 Si--O四面体 P2O5 2(PO2)++[O=] SiO2特性 厚度测量 形成台阶 光学比色 椭圆偏振光 干涉法 击穿场强~12MV/cm 颜色 氧化层厚度（?10-8cm) 第一周期 第二周期 第三周期 第四周期 灰色 100 黄褐色 300 蓝色 800 紫色 1000 2750 4650 6500 深蓝色 1500 3000 4900 6800 绿色 1850 3300 5200 7200 黄色 2100 3700 5600 7500 橙色 2250 4000 6000 红色 2500 4300 6500 二氧化硅颜色厚度对照表 SiO2特性 CV测试氧化层电荷 氧化层电荷测量 局部氧化 隐埋氧化层 掺杂影响 掺杂影响 四种可能 掺杂影响 掺杂影响 掺杂影响 半导体器件原理与工艺 半导体器件原理与工艺 秦明 东南大学MEMS教育部重点实验室 Tel:025ext.8809 Email:mqin@seu.edu.cn 教材与参考书 教材 微电子制造科学原理与工程技术(第二版) Stephen A. Campbell, 电子工业出版社 参考书 微加工导论 Sami Franssila,电子工业出版社 硅微机械加工技术 黄庆安, 科学出版社 半导体加工工艺 概述 半导体衬底 热氧化 扩散 离子注入 光刻 刻蚀 薄膜淀积：物理和化学 CMOS 半导体加工工艺概述 上世纪40年代发明的晶体管及随后发明的集成电路，完全改变了人类生活。 微电子的发展 半导体加工概述 Moore定律 “Component counts per unit area doubles every two years” Feature size reduction enables the increase of complexity. 半导体加工概述 半导体加工概述 半导体加工概述 半导体加工概述 半导体加工工艺原理 概述 半导体衬底 热氧化 扩散 离子注入 光刻 刻蚀 薄膜淀积 CMOS 半导体衬底 硅是目前半导体中用的最多的一种衬底材料 每年生产约1.5亿片，总面积约3~4km2 硅的性能 屈服强度 7x109 N/m2 弹性模量 1.9x1011 N/m2 密度 2.3 g/cm3 热导率 1.57 Wcm-1°C-1 热膨胀系数 2.33x10-6 °C-1 电阻率(P) n-型 1 - 50 ?.cm 电阻率(Sb) n-型0.005