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[工学]第3章逻辑门电路2
TN导通: vI在(-5,+3) TP导通: vI在(-3,+5) 2)C= +5V,C= -5V: vI在(-5,+5)至少有一个CMOS管导通,vO= vI vI vO C C TG +5V -5V TP TN C C vI vO 传输门组成的数据选择器 C=0 TG1导通, TG2断开 L=X TG2导通, TG1断开 L=Y C=1 传输门的应用 3.2.6 BiCMOS门电路 双极型CMOS电路 输出级: TTL电路 推挽式输出级 转换速度快 输入级: CMOS电路 功耗低 ?I为高电平: MN、M1和T2导通,MP、M2和T1 截止,输出?O为低电平。 工作原理: M1的导通, 迅速拉走T1的基区存储电荷; M2截止, MN的输出电流全部作为T2管的驱动电流。 M1 、 M2加快输出状态的转换 导通 截止 1 0 截止 导通 导通 截止 0 ?I为低电平: MP、M2和T1导通,MN、M1和T2 截止,输出?O为高电平。 M2导通,T2基区的存储电荷迅速消散。 M1截止,MP的输出 电流全部作为T1的驱动电流。 T1迅速饱和导通 0 截止 导通 1 导通 截止 截止 导通 1 3.5 逻辑描述中的几个问题 3.5.1 正负逻辑问题 3.5.2基本逻辑门的等效符号及其应用 3.5.1 正、负逻辑问题 正逻辑: H 1 L 0 有一逻辑器件 A B L VA VB VL L L H L H H H L H H H L A B L 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 正逻辑真值表: 若用H表示高电平; L表示低电平 其功能表示为: 其逻辑关系——采用“正逻辑体制”、 or“负逻辑体制”而定 逻辑表达式: L=AB 负逻辑真值表: 逻辑表达式: L=A+B 正、负逻辑的等效变换 与非 或非 与 或 非 非 本书一般采用正逻辑 负逻辑: H 0 L 1 A B L 1 1 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 VA VB VL L L H L H H H L H H H L 3.5.2 基本逻辑门电路的等效符号及其应用 1、 基本逻辑门电路的等效符号 与非门等效符号 或非门等效符号 利用逻辑门等效符号,可实现对逻辑电路进行变换, 以简化电路,能减少实现电路的门的种类。 控制电路 逻辑门等效符号强调低电平有效 L=0 3.6.1 CMOS门电路与TTL门的接口问题 3.6 逻辑门电路使用中的几个实际问题 由于对工作速度、功耗的不同要求,有时需TTL电路、CMOS电路混合使用,须注意接口问题。 满足电压和电流的接口条件: v O v I 驱动门 负载门 1 1 V OH ( min ) v O V OL ( max ) v I V IH ( min ) V IL ( max ) VOH(min) ≥ VIH(min) VOL(max) ≤ VIL(max) 电压接口条件 灌电流 IIL IOL IIL 1 0 1 1 1 … 1 n个 IIH 拉电流 IIH IOH 0 1 1 1 0 … 1 n个 能对负载器件提供足够大的拉电流和灌电流 IOH(max) ≥ IIH(total) IOL(max) ≥ IIL(total) 电流接口条件 IOL(CMOS)IIL(TTL),低电平电流不匹配 1. CMOS 门驱动TTL 门 以上数据是在VCC=VDD=+5V时的值 0.1 74HCT 2 例3.6.1 用一个74HC00与非门电路驱动一个74系列T
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