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5.2晶体管的高频等效模型
* §5.2 晶体管的高频等效模型 一、晶体管的混合π模型 1、完整的混合π模型 c + + - - b e c e b rc和re分别是集电极和发射极的体电阻，数值比较小，常忽略不计。Cμ为集电结电容，Cπ为发射极电容。 为集电结电阻， 为基区体电阻， 为发射结电阻， , c + + - - b e 和 的大小、相角与频率有关，即 是频率的函数。根据半体物理的分析， 与 成线性关系，与频率无关。gm为跨导，一个常数，表明 对 的控制关系， 2、简化的混合π模型 c + + - - b e 通常情况下， rce远大于c-e间接的负载电阻， 也远大于的容抗，因而可认为rce和 开路。 e c + + - - b *
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