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论文题目：单片机与接口技术结业论文 姓名：许冉 学院：工程学院 专业班级：电化0924 学号:单片机与接口技术结业论文 首先， 单片机的结构及资源。 80C51 单片机属于 MCS-51 系列单片机，由 Intel 公司开发，其结构是 8048 的延伸， 改进了 8048 的缺点， 增加了如乘 （MUL） 除 、 （DIV） 减 、 （SUBB） 、 比较（PUSH） 、16 位数据指针、布尔代数运算等指令，以及串行通信能力和 5 个中断源。采用 40 引脚双列直插式 DIP（Dual In Line Package） ，内有 128 个 RAM 单元及 4K 的 ROM。80C51 有两个 16 位定时计数器，两个外中断， 两个定时计数中断，及一个串行中断，并有 4 个 8 位并行输入口。80C51 内 部有时钟电路，但需要石英晶体和微调电容外接，本系统中采用 12MHz 的晶 振频率。由于 80C51 的系统性能满足系统数据采集及时间精度的要求，而且 产品产量丰富来源广，应用也很成熟，故采用来作为控制核心。 80c51 的主要功能特性和内部资源如下： · 兼容 MCS51 指令系统 · 8k 可反复擦写(1000 次）Flash ROM · 32 个双向 I/O 口 · 256x8bit 内部 RAM · 3 个 16 位可编程定时/计数器中断 · 时钟频率 0-24MHz · 2 个串行中断 · 可编程 UART 串行通道 · 2 个外部中断源 · 共 8 个中断源 · 2 个读写中断口线 · 3 级加密位 · 低功耗空闲和掉电模式 ·软件设置睡眠和唤醒功能 8051 的 I/O 口结构以及操作方式如下： P0 口： P0 口是一组 8 位漏极开路型双向 I/O 口， 也即地址/数据总线复用口。作为输出口用时，每位能吸收电流的方式驱动 8 个 TTL 逻辑门电路，对端 口 P0 写“1”时，可作为高阻抗输入端用。 在访问外部数据存储器或程序存 储器时，这组口线分时转换地址（低 8 位）和数据总线复用，在访问期间激 活内部上拉电阻。 在 Flash 编程时，P0 口接收指令字节，而在程序校验时， 输出指令字节，校验时，要求外接上拉电阻。 P1 口： P1 是一个带内部上拉电阻的 8 位双向 I/O 口， P1 的输出缓冲级可驱 动（吸收或输出电流）4 个 TTL 逻辑门电路。对端口写“1”，通过内部的上 拉电阻把端口拉到高电平，此时可作输入口。作输入口使用时，因为内部存 在上拉电阻，某个引脚被外???信号拉低时会输出一个电流(IIL)。 P2 口： P2 是一个带有内部上拉电阻的 8 位双向 I/O 口，P2 的输出缓冲级可 驱动（吸收或输出电流）4 个 TTL 逻辑门电路。对端口 P2 写“1”，通过内 部的上拉电阻把端口拉到高电平，此时可作输入口，作输入口使用时，因为 内部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(IIL)。在访 问外部程序存储器或 16 位地址的外部数据存储器 （例如执行 MOVX @DPTR 指令）时，P2 口送出高 8 位地址数据。在访问 8 位地址的外部数据存储器 （如执行 MOVX @RI 指令）时，P2 口输出 P2 锁存器的内容。 编程或校验时，P2 亦接收高位地址和一些控制信号。 P3 口： P3 口是一组带有内部上拉电阻的 8 位双向 I/O 口。P3 口输出缓冲级 可驱动（吸收或输出电流）4 个 TTL 逻辑门电路。对 P3 口写入“1”时，它 们被内部上拉电阻拉高并可作为输入端口。此时，被外部拉低的 P3 口将用 上拉电阻输出电流（IIL） 。 P3 口除了作为一般的 I/O 口线外，更重要的用途是它的第二功能 P3 口还接收一些用于 Flash 闪速存储器编程和程序校验的控制信号。 RST： 复位输入。当振荡器工作时，RST 引脚出现两个机器周期以上高电平将 使单片机复位。 ALE/PROG： 当访问外部程序存储器或数据存储器时，ALE（地址锁存允许）输出脉 冲用于锁存地址的低 8 位字节。一般情况下，ALE 仍以时钟振荡频率的 1/6 输出固定的脉冲信号， 因此它可对外输出时钟或用于定时目的。 要注意的是： 每当访问外部数据存储器时将跳过一个 ALE 脉冲。 PSEN： 程序储存允许 （PSEN） 输出是外部程序存储器的读选通信号， AT89C52 当 由外部程序存储器取指令（或数据）时，每个机器周期两次 PSEN 有效，即 输出两个脉冲。在此期间，当访问外部数据存储器，将跳过两次 PSEN 信号。 EA/VPP： 外 部 访 问 允 许 。 欲 使 CPU