铟掺杂近化学计量比铌酸锂单晶的缺陷结构-哈尔滨工程大学学报.PDFVIP

第３６卷第 １０期　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 哈　 尔　 滨　 工　 程　 大　 学　 学　 报　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 Ｖｏｌ．３６ №．１０ ２０１５年１０月　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｈａｒｂｉｎ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 Ｏｃｔ．２０１５ 铟掺杂近化学计量比铌酸锂单晶的缺陷结构 １ １ ２ ３ 方双全 ，黄新 ，马德才 ，张贺新 （１． 扬州大学机械工程学院，江苏扬州２２５１２７；２． 中山大学物理与工程学院，广东广州５１０２７５；３． 哈尔滨工程大学材料科 学与化学工程学院，黑龙江哈尔滨 １５０００１） 摘　 要：为了探讨抗光损伤介质在近化学计量比铌酸锂晶体中的占位机制，采用顶部籽晶助熔剂方法（ＴＳＳＧ）生长了不 － 同铟含量的近化学计量比铌酸锂（Ｉｎ：ＳＬＮ）晶体，利用Ｘ射线衍射、差热分析，紫外 可见吸收光谱及红外光谱测试并研 究了晶体中的缺陷结构变化规律。 分析发现在近化学计量比铌酸锂晶体中，Ｉｎ Ｏ 的阈值浓度介于 １％～１．５％。 缺陷结 ２ ３ ３＋ ４＋ ２＋ 构研究表明，当Ｉｎ Ｏ 掺杂量低于阈值浓度时，Ｉｎ 离子优先取代Ｎｂ ，形成Ｉｎ 离子；当Ｉｎ Ｏ 掺杂浓度高于阈值浓度时， ２ ３ Ｌｉ Ｌｉ ２ ３ ３＋ ２＋ ２－ － Ｉｎ 离子开始同时占据正常的Ｌｉ与Ｎｂ位，形成Ｉｎ Ｉｎ 电荷自补偿结构。 Ｌｉ Ｎｂ 关键词：铌酸锂晶体；近化学计量比；缺陷结构；取代机理；阈值；铟 ｄｏｉ：１０．１１９９０／ ｊｈｅｕ．２０１４０７０１６ 网络出版地址：ｈｔｔｐ：／ ／ ｗｗｗ．ｃｎｋｉ．ｎｅｔ／ ｋｃｍｓ／ ｄｅｔａｉｌ／ ２３．１３９０．Ｕ０８４１．００６．ｈｔｍｌ 中图分类号：Ｏ７８２　 文献标志码：Ａ　 文章编号：１００６⁃７０４３（２０１５）１０⁃１４０９⁃０４ Ｄｅｆｅｃｔ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｆ ｎｅａｒ⁃ｓｔｏｉｃｈｉｏｍｅｔｒｉｃ ＬｉＮｂＯ ｃｒｙｓｔａｌｓ ｄｏｐｅｄ ｗｉｔｈ ｉｎｄｉｕｍ ３ １ １ ２ ３ ＦＡＮＧ Ｓｈｕａｎｇｑｕａｎ ，ＨＵＡＮＧ Ｙｉｎｇ ，ＭＡ Ｄｅｃａｉ ，ＺＨＡＮＧ Ｈｅｘｉｎ （１．Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｙａｎｇｚｈｏｕ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｙａｎｇｚｈｏｕ２２５１２７，Ｃｈｉｎａ；２．Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｓｕｎ Ｙａｔ⁃ Ｓｅｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｇｕａｎｇｚｈｏｕ５１０２７５，Ｃｈｉｎａ；３． Ｃｏｌｌｅｇｅｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌ