Phable紫外光刻机在图形化蓝宝石衬底PSS中的应用.PDFVIP

Tel / 电话：01021/22 Fax/传真：010 Email ：contact@ Website ： Phable 紫外光刻机在图形化蓝宝石衬底（PSS）中的应用 1）图形化蓝宝石衬底PSS介绍： 衬底材料是LED照明的基础，也是外延生长的基础。能够用于GaN的衬底材料主要有蓝宝石 （Al2O3 ）、SiC、Si。只有前两种得到了较大规模的商业化应用。用Si作为衬底生长GaN基LED 是业界寄予厚望的一个技术路径，但因为存在材料失配引起龟裂、发光效率低、工作电压高、可靠 性差等诸多难以克服的困难，一直没有得到真正的商业化。 蓝宝石晶体具有高强度、高熔点和物理化学性能稳定等特点，是目前半导体照明产业发展过程 中使用最为广泛的衬底材料。 但蓝光LED所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题：  蓝宝石和GaN存在着17%的晶格不匹配，直接在蓝宝石衬底上生长出来的外延缺陷严重 ——导致生长的量子阱质量下降，同时会导致漏电严重。  出光效率低下，大部分光被限制在LED芯片内——出光率低。 以上两个问题的解决办法就是图形化蓝宝石衬底——PSS （Patterned Sapphire Substrate）。 PSS ，是指在蓝宝石衬底上制作出周期性图形，具体指利用标准的光刻工艺将蓝宝石衬底表面 的掩膜刻出图形，之后用ICP或湿法刻蚀技术刻蚀蓝宝石衬底，去除掉掩膜后生长GaN材料，使GaN 材料的纵向外延变成横向外延。 它可以有效减少GaN外延材料的位错密度，从而减少有源区的非辐射复合，提高内量子效率， 减少反向漏电流，提高LED的寿命。 有源区发出的光，经GaN和蓝宝石衬底界面多次散射，改变了原全反射光的入射角，增加了 LED光出射的几率，从而提高了光的提取效率。 具体工艺过程如下图所示： Photo Exposure Develop Etching 1. Photo-resist coating 2. Stepping Exposure 3. Developing exposed 4. Dry etching by 北京市海淀区学院路30 号科大天工大厦B 座1408 室 Room 1408, Tower B, Techart Plaza, No.30 XueYuan Road, Haidian District, 100083, Beijing, P. R. China Tel / 电话：01021/22 Fax/传真：010 Email ：contact@ Website ： UV light Plasm Reticle Thickness Photo resist Sapphire Substrate Sapphire Substrate Sapphire 如今各厂家纷纷采用PSS技术，以提高LED器件的光提取效率。PSS的图形种类也较多，目前 使用比较普遍的一种形貌类似圆锥形的图形，图形周期约为3μm ，直径2 －2.6微米，高度约为1.6 －3μm。如下图所示。 以上微米量级的图形化衬底的制备已趋成熟，已被广泛