无机材料的电导-离子电导教学幻灯片.pptVIP

第三章 无机材料的电导 ;离子晶体中的电导主要为离子电导(载流子:正、负离子/空穴。) 离子导电的种类： 一、固有离子电导（本征电导）—固体中的基本离子的运动 二、杂质电导—固溶的杂质离子引起，杂质离子是弱联系离子，所以在较低温度下杂质电导表现得特别显著。 离子型导体统称为电解质，从状态上分为液态和固态。本节主要讨论固体电解质的电导特性。 ;（1） 根据传导离子种类： 阳离子导体：银离子、铜离子、钠离子、锂离子、氢离子等； 阴离子导体：氟离子、氧离子。 （2） 按材料的结构：根据晶体中传导离子通道的分布有一维、二维、三维。 （3） 从材料的应用领域：储能类、传感器类。 （4） 按使用温度：高温固体电解质、低温固体电解质;类型;? 固体电解质既保持固态特点，又具有与熔融强电解质或强电解质水溶液相比拟的离子电导率。 ? 结构特点不同于正常态离子固体，介于正常态与熔融态的中间相------固体的离子导电相。 ? 导电相在一定的温度范围内保持稳定的性能，为区分正常离子固体，将具有这种性能的材料称为快离子导体。 ? 良好的固体电解质材料应具有非常低的电子电导率。 ? 应用领域：能源工业、电子工业、机电一体化等领域。;二、载流子的浓度;3.2 离子电导;碱金属卤化物晶体的离解能与缺陷的扩散能(eV);杂质离子载流子的浓度决定于杂质的数量和种类。;热缺陷的运动产生和复合;当电场强度不太大时， exp( ?U/ kT)?1+ ?U/ kT exp(－?U/ kT)?1－ ?U/ kT ?U=F·a/2=Eqa/2 v=( a?0 /6)×(qa/ kT) ×E× exp(－ U0 / kT) 载流子沿电场力的方向的迁移率为： ?=v/E=(a2?0q /6kT) × exp(－ U0 / kT) 例如： 一般离子的迁移率为10-13～10-16 m2/sV, k= 0.86×10-4(eV/K) 例：晶格常数a=5×10-8 cm，振动频率1012Hz， 势垒0.5eV， 常温300K，?=6.19×10-11(cm2/sV);电导率?=nq? 本征离子电导主要由肖特基缺陷引起的 Ns=Nexp(－Es/2kT) ?=v/E=(a2?0q /6kT) × exp(－ Us/ kT) ?=Nexp(－Es/2kT) a2?0q 2 /6kT × exp(－ Us / kT) ?=Asexp[-(Us+Es/2)/ kT]= Asexp[-Ws/kT] As＝N a2?0q２ /6kT （温度范围不大时???认为是常数） Ws ＝Us +Es/2 Ws ------电导的活化能。包括缺陷的形成能和迁移能。 通过在不同的温度下测量其电导率可得出活化能。;杂质离子浓度远小于晶格格点数； 杂质离子的活化能小于热缺陷移动的活化能； 离子晶体的电导主要为杂质电导。;晶体;能斯脱---爱因斯坦方程： 在材料内部存在载流子浓度梯度，由此形成载流子的定向运动，形成的电流密度(单位面积流过的电流强度）为： J1=－Dq×?n/ ?x n------单位体积浓度：x------扩散方向； q------离子的电荷量；D------扩散系数。 在外电场存在时， J= ?E J=?×?V/ ?x;总电流密度 : Jt=－Dq×?n/ ?x－?×?V/ ?x 在热平衡状态下总电流为零 根据波尔兹蔓能量分布: n=n0exp(－qV/kT) 得： ?n/ ?x=－qn/kT×?V/ ?x ?=D×nq2/kT 能斯脱---爱因斯坦方程，表达的是离子电导率与扩散系数的联系。D可由实验测得．;五、影响离子电导率的因素;（3）晶格缺陷 具有离子电导的固体物质称为固体电解质,只有离子晶体才能成为固体电解质,离子晶体具有离子电导的特性，必须具备以下两条件: 　　A.电子载流子浓度小 　　B.离子晶格缺陷浓度大并参与电导。 影响晶格缺陷生成和浓度的主要原因： 　（a）热缺陷生成晶格缺陷； 　（b）不等价固溶掺杂形成晶格缺陷； 　（c）离子晶体中正负离子计量比随气氛的变化发生偏离，形成非化学计量比化合物，因而产生晶格缺陷。 ZrO2中氧脱离形成氧空位，不仅产生离子缺陷，同时产生电子缺陷． 。 ;在晶体中，由于热激