双极结型三极管及放大电路基础双极型晶体管.PDFVIP

4 双极结型三极管及放大电路基础 本章讨论的问题 1.什么是放大？放大电路放大信号与放大镜放大物体意义 相同吗？放大的特征是什么？ 2.为什么晶体管的输入、输出特性说明它有放大作用？ 如何将晶体管接入电路才能起到放 大作用？组成放大 电路的原则是什么？有几种接法？ 3.如何评价放大电路的性能？有哪些主要指标？ 4. 晶体管三种基本放大电路各有什么特点？如何根据它 们的特点组成派生电路？ 5.如何根据放大电路的组成原则利用场效应管构成放大 电路？它有三种接法吗？ 6.场效应管放大电路与晶体管放大电路有哪些不同处？在不同的场合下，应如何选用放大电 路？ 7.晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的？场效应管是通过什么方式来控制 极电流 的？为什么它 们都可以用于放大？ 4.1 双极型晶体管 半导体三极管有两大类型，一是双极型半导体三极管 二是场效应半导体三极管 双极型 导体三极管是由两种载流子参与导电的 导体器件，它由两个 PN 结组合而 成，是一种CCCS 器件。 场效应型 导体三极管仅由一种载流子参与导电，是一种VCCS 器件。 4.1.1 晶体管的结构及类型 双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型：NPN 型和PNP 型。中间 部分称为基区，相连电极称为基极，用B 或b 表示（Base ）； 一侧称为发射区，相连电极称为发射极，用E 或e 表示（Emitter ）； 另一侧称为集电区和集电极，用C 或c 表示（Collector ）。 E-B 间的PN 结称为发射结 （Je ）， C-B 间的PN 结称为集电结 （Jc ）。 两种极性的双极型三极管 双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。从外 表上看两个N 区(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且 集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。 4.1.2 晶体管的电流放大作用 双极型 导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。若在放大工作状态：发 射结加正向电压，集电结加反向电压。现以 NPN 型三极管的放大状态为例，来说明三极管 内部的电流关系。 双极型三极管的电流传输关系 （动画2-1 ） 发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形成的电流为IEN 。与PN 结 中的情况相同。从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流为IEP 。这 是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结 反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，进入集电 结的结电场区域，被集电极所收集，形成集电极电流ICN 。在基区被复合的电子形成的电流 是 IBN 。 另外，因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO 。于是可得如下电流关系 式： I = I ＋I 且有I I E EN EP EN EP IEN=ICN+ IBN 且有IEN IBN ， ICNIBN I =I + I C CN CBO I =I + I －I B EP BN CBO I =I +I =I +I +I =(I +I )+(I +I －I )=I +I E EP EN EP CN BN CN CBO BN EP CBO C B 以上关系在图02.02 的动画中都给予了演示。由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基 区很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。若两个PN 结对接，相当基区很厚，所以 没有电流放大作用，基区从厚变薄，两个PN 结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个 实例。 极型半导体三极管的电流关系 (1) 三种组态 双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必