第五章 霍尔式.pptVIP

§5.2 霍尔式传感器 霍尔式传感器是利用霍尔元件基于霍尔效应原理而将被测量、如电流、磁场、位移、压力等转换成电动势输出的一种传感器。 一、霍尔效应 一块长为l、宽为b、厚为d的半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场(磁场方向垂直于薄片)中。当有电流I流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势UH。。 二、霍尔材料 1．锗(Ge)，N型及P型均可。 2．硅(Si)．N型及P型均可。 3．砷化铟(InAs)和锑化铟(InSb)，这两种材料的特性很相似。输出电势大。 三、霍尔元件的构造 霍尔片：矩形半导体薄片； 四极引线：长度方向两端面（控制电流端引线） 侧边两端面中点（霍尔电势输出引线） 壳体：非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装。 四、测量电路 五、主要技术指标 六、不等位电势的补偿 不等位电势：磁感应强度为零，元件通以额定激励电流时，霍尔电极间的空载电势，或称为零位电势U0 不等位电阻：R0=U0/IH 产生原因：霍尔电极的位置不在同一等位面上； 材料不均匀，工艺不良； 后果：零位误差。 补偿方法 七、温度特性的补偿 原因：半导体材料本身的温度效应。（电阻率、迁移率、载流子浓度） 补偿方法： 选用温度系数小的霍尔元件（如：砷化铟）； 采用恒流源供电；(减小元件内阻随温度变