300mm硅片化学机械抛光技术分析.pdfVIP

技术专栏 Technology Column T S 300mm硅片化学机械抛光技术分析 闫志瑞，鲁进军，李耀东，王继，林霖 （北京有色金属研究总院 有研半导体材料股份有限公司，北京100088） 摘要：化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一，然而，传统的化学机械抛光技 术还存在一定的缺点或局限性，为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度，在300mm硅片的生产中采用了 双面化学机械抛光技术。对双面化学机械抛光的优点以及系统变量对抛光速度和抛光质量的影响进行了详细 地分析。 关键词：化学机械抛光；超大规模集成电路；硅片；双面抛光 中图分类号：TN305.2文献标识码： A 文章编号：1003-353X(2006)08-0561-04 YAN Zhi-rui，LU Jin-jun，LI Yao-dong，WANG Ji，LIN Lin (GRINM Semiconductor Materials Co.Ltd，Beijing100088, China) Abstract: remove rate and quality were analyzed. Key words:CMP；ULSI；wafer；double side polishing(DSP) 法、旋转式玻璃法、回蚀法、电子环绕共振法、 1 引言 [2] 等离子增强CVD、淀积-腐蚀-淀积等技术 。 半导体产业是现代电子工业的核心，而半导体 传统的对基底硅材料的CMP为单面抛光，但 产业的基础是硅材料工业。虽然有各种各样新型的 是随着超大规模集成电路的不断发展，单面抛光 半导体材料不断出现，但90%以上的半导体器件和 已经不能满足更小线宽的要求，故在对用于线宽 电路，尤其是超大规模集成电路 （ULSI）都是制 为0.09～0.13μm工艺的300mm硅片的加工中需进 [1] 作在高纯优质的硅单晶抛光片和外延片上的 。 行双面化学机械抛光，这也是未来大直径硅片加工 目前，超大规模集成电路制造技术已经发展到 的发展趋势。 了0.12μm和300mm时代，特征线宽为0.1μm的 技术也正在走向市场。随着特征线宽的进一步微小 2传统的化学机械抛光 化，对硅片表面的平坦化程度提出了更高的要求， 1965年Walsh和Herzog首次提出了化学机械抛 CMP被公认为是ULSI阶段最好的材料全局平坦化 光技术，之后逐渐被应用。在半导体行业，CMP 方法，该方法既可以获得较完美的表面，又可以得 最早应用于集成电路的基底硅材料的抛光中，其后 到较高的抛光速率，已经基本取代了传统的热流 被逐步应用于集成电路的前半制程中 （集成电路的 基金项目 ：国家863资助项目 （2004AA3Z1140） 制造过程共分为4