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第8章 光电式传感器 内容：光电器件 CCD传感器 光纤传感器 随着半导体器件的发展，出现了大量的以半导体为材料的基于内光电效应器件： 光电阻 光敏管 光电池 光谱特性与制造器件的材料有关，也与制造工艺有关。 不同材料对应不同的红线频率。 各种敏感材料对不同的波长灵敏度不一样。 每一种材料只对某一种波长的灵敏度最高。 8.2 电荷耦合器件 优点： 寿命长。CCD摄像管的寿命约20一30年。 成本低。用CCD摄像管构成的摄像机没有电子枪及其附属设备，体积小，成本低。 机械性能好，耐震、耐撞，不怕强光照射。 重合精度高。摄像管与镜头固定牢固，匹配精确。 暂留特性好，适于拍摄运动图像。 CCD的基本工作原理 ①CCD的电荷存储 构成CCD的基本单元是MOS电容器，由金属、氧化物、半导体材料构成。 原理 工作原理是依靠MOS电容与其电子势阱的存储电荷作用，以及改变栅压高低可以使势阱内电荷包逐个势阱转移的效应。 当MOS电容栅压增高时，在半导体内部被排斥的电荷数也增加，耗尽层厚度增加，半导体内电势越低，电子则向耗尽层移动、存储，象对电子的陷阱一样，称为电子势阱。电子势阱可以用来存放电子。其特点是：当栅压增加，势阱变深；当栅压减小，势阱变浅，电子向势阱深处移动。 在一定的条件下，所加VG越大，耗尽层越深，MOS电容器所容纳的少数载流子电荷量就越大。 ②光信号注入与电荷产生 CCD信号电荷产生有两种方式：光信号注入和电压信号注入。 用做图像传感器时，由光注入电荷信号。 势阱内的电荷包是由光敏材料受光照射后激发→ 产生电子空穴对 在栅极电压的作用下，空穴被排斥进入衬底 而电子被收集在势阱里，成为信号电荷 存储电荷的多少正比于照射光强 这就是CCD摄像器件的光电变换过程。 光注入方式有： 正面照射：电极用透明导电材料（氧化锡、氧化钛等）制作。 背面照射：需将衬底减薄 直接照射：在每个光敏单元的电极下开一个很小的孔，光线直接照射到硅片表面 通常在半导体硅片上制有几百或几千个相互独立的排列的MOS光敏源，称为光敏源阵列。如果在金属电极上施加一正偏压，则在硅片上形成几百或几千个相互独立的势阱。如果照射在这些光敏元上的是一幅明暗起伏的图像，那么这些光敏元就感生出一幅与光照强度相对应的光生电荷图像，这就是电荷耦合摄像器件的基本原理。 ③电荷转移 CCD的最基本结构是彼此非常靠近的一系列MOS电容器，耗尽区能够在控制下相通，这是保证相邻的势阱耦合和电荷转移的基本条件。 任何可移动的电荷信号总是力图向表面势大的位置移动，→相邻势阱间的电荷转移。 实现电荷转移的驱动脉冲有二相，三相、四相。 ④CCD的信号输出 每个象素下面势阱内的电荷包通过转移后，顺序向外电路输出，并转换成信号电流或电压的形式，由外电路放大和处理。 常用的电路结构是反偏二极管CCD输出方式。在一个作为负载的电容上可得到相应的离散的负极性脉冲电压，形成负极性图象信号。 CCD摄像器件 线阵CCD 面阵CCD摄像器件 1.光积蓄式线阵CCD 光敏元件与电荷移位寄存器合二为一 优点：简单 缺点：易产生“拖影”，须用机械式快门 因此不实用！ 2.分离式单通道线阵CCD 光敏单元与电荷移位寄存器互为分离，当转移控制栅开启时，信号电荷同时平行读入电荷移位寄存器，然后再转移出去。 双通道线阵CCD 优点： ①与长度相同的分离式相比，两倍分辨率。 ②转移寄存器的级数小，电荷转移损失小。 ③尺寸小 双通道式已经发展成为线型固态图像传感器的主要构成。 线型CCD的主要用途 测量 扫描仪、传真机、数字复印机等 举例说明在测量上的应用 面阵CCD摄像器件 行间转移式（IT） 帧间转移式（FT） 行帧间转移式（FIT） 行间转移式（IT） IT式CCD中一列列感光单元与一列列垂直移位寄存器相间的排列，最下面是一个水平移位寄存器。 场消隐期间电荷包从各个感光单元转移到垂直移存器，场正程期间感光单元重新积累电荷包，同时场正程内的行逆程期间垂直移存器将电荷包向下转移一个单元，最下一行电荷包进入水平移存器，而场正程内的行正程期间水平移存器将一行的电荷包顺序移至输出端，形成一行图象信号。 帧间转移式（FT） FT式CCD有一个成像部分和一个与之大小相同和单元数目相同的存储部分，以及一个水平移位寄存存器。 场消隐期间成像部分中各个电荷包一一对应的移入存储部分各势阱内，然后，场正程期间电荷包的转移和输出象ITCCD一样。 行帧间转移式（FIT） IT式CCD的一个缺点是高亮点景象会在重现图象上出现垂直拖影，FT的缺点是需