高电压技术1-62016.ppt

交变 直流 电风：带电粒子在局部强场的驱动下高速运动，与气体分子交换动量，产生电风 O3，NO,NO2 * * 棒极带正电位时，放电在棒极附近空间留下的正离子，削弱了紧贴棒极附近的电场强度，而略微加强了外部空间的电场，棒极附近难以造成流注，使得自持放电、即电晕放电难以形成 。 * 棒极带负电位时，电子崩由棒极表面出发向外发展，电子崩中电子离开强电场区后，不再引起电离，正离子逐渐向棒极运动，在棒极附近出现了比较集中的正空间电荷，使电场畸变，将加强棒极表面附近的电场而削弱外围空间电场，棒极附近的电场得到增强，因而自持放电条件就易于得到满足、易于转入流注而形成电晕放电。 * 电场加强的流注头部前方产生新电子崩，其电子吸引入流注头部正电荷区内，加强并延长流注通道，其尾部的正离子构成流注头部的正电荷 ； * 热电子发射：金属中电子动能超过逸出功时，电子即能克服金属表面的势能壁垒而逸出。热电子发射对某些电弧放电的过程有重要意义。 强场发射：由于一般气隙的击穿场强远低于此值，所以常态下作用气隙击穿完全不会出现强场发射； * 气体中带异号电荷的粒子相遇时，可能发生电荷的传递与中和，这种现象称为复合，是与电离相反的一种过程。 * 辉光放电时，在放电管两极电场的作用下，电子和正离子分别向阳极、阴极运动，并堆积在两极附近形成空间电荷区。因正离子的漂移速度远小于电子，故正离子空间电荷区的电荷密度比电子空间电荷区大得多，使得整个极间电压几乎全部集中在阴极附近的狭窄区域内。这是辉光放电的显著特征，而且在正常辉光放电时，两极间电压不随电流变化。在阴极附近，二次电子发射产生的电子在较短距离内尚未得到足够的能使气体分子电离或激发的动能，所以紧接阴极的区域不发光。而在阴极辉区，电子已获得足够的能量碰撞气体分子，使之电离或激发发光。（二次电子出来以后受电压作用被加速，与气体分子碰撞时的加速距离按一定的概率分布）其余暗区和辉区的形成也主要取决于电子到达该区的动能以及气体的压强（电子与气体分子的非弹性碰撞会失去动能）。 特点是放电电流密度较小，放电区域通常占据了整个电极间的空间。霓虹管中的放电就是辉光放电。管中所充气体不同，发光颜色也不同 * 电弧通道和电极的温度都很高，电流密度极大，电路具有短路的特征 * 火花放电的特征是具有收细的通道形式，并且放电过程不稳定 * 当电压升高到一定值后，首先紧贴电极在电场最强处出现发光层，回路中出现用一般仪表即可察觉的电流。 随着电压升高，发光层扩大，放电电流也逐渐增大 发生电晕放电时，气体间隙的大部分尚未丧失绝缘性能，放电电流很小，间隙仍能耐受电压的作用 * 电压再升高，根据电源功率而转入火花放电或电弧放电，最后整个间隙被击穿 如电场稍不均匀，则可能不出现刷状放电，而由电晕放电直接转入击穿 * 外施电压小于U0时，电场较小，气隙内电流是由外界电离因素引起的电子和离子所形成，数量极少，电流也极小。 通常远小于微安级，气体本身的绝缘性能尚未被破坏，即间隙还未被击穿。 而且这时电流要依靠外电离因素来维持，如果取消外电离因素，那么电流也将消失。 称为非自持放电。 * 当电压达到U0后，气体中发生的强烈的电离使电流剧增。同时气体中电离过程只靠电场的作用已可自行维持，而不再继续需要外电离因素了。 因此U0以后的放电形式也称为自持放电。 * * 电离放电进一步发展到气隙击穿的过程将随电场情况的而不同，可分为较均匀电场和不均匀电场两大类。 ■如电场比较均匀，各处场强的差异不大，任意一处一旦形成自持放电，就会很快发展到整个间隙，气隙即被直接击穿。此后根据气压、外回路阻抗等条件形成辉光放电、火花放电或电弧放电，临界电压即为击穿电压。 ■如电场极不均匀，则当放电由非自持转入自持时，在大曲率电极表面电场集中的区域发生电晕放电，这时起始电压是间隙的电晕起始电压，而击穿电压可能比起始电压高很多。 * 20世纪初，英国物理学家汤森德根据大量的实验结果，阐述了气体放电的过程，并在一些假设条件下，提出了气隙放电电流和击穿电压的计算公式。 气体的相对密度，以标准大气条件下的大气密度为基准。 * 带电粒子在电极间运动过程导致的三种因素。 * * 由之前介绍的空气中图1-3-1开始导入，电子崩的空间形态，电子和正离子的空间分布 外界电离因素在阴极附近产生一个初始电子，如果空间的电场强度足够大，该电子在向阳极运动时就会引起碰撞电离，产生出一个新电子，初始电子和新电子继续向阳极运动，又会引起新的碰撞电离，产生出更多的电子。依次类推，电子数将按几何级数不断增多，象雪崩似的发展,这种急剧增大的空间电流被称为电子崩。 基本假设：平行板电极组成的均匀电场，最初的自由电子是由外界电离因素在气隙内或阴极表面电离出来的。 * 正离子的平均